[實用新型]一種晶硅電池雙層膜鈍化減反結構

有效

• 申請號: 201320886856.4
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN203690311U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 秦廣飛;金保華;燕飛;汪文淵;王鵬;張建亮
• 申請（專利權）人: 秦廣飛
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所 37218
• 代理人: 張貴賓

1.一種晶硅電池雙層膜鈍化減反結構，其特征是：晶硅電池片(1)表面鍍有兩層氮化硅薄膜，晶硅電池片(1)上方的下層氮化硅薄膜(2)及下層氮化硅薄膜(2)上方的上層氮化硅薄膜(3)，所述下層氮化硅薄膜(2)的厚度為d₂，折射率為n₂，上層氮化硅薄膜(3)的厚度d₁，折射率為n₁，且d₁>d₂，n₁<n₂。

2.根據權利要求1所述的一種晶硅電池雙層膜鈍化減反結構，其特征是：所述n₁、n₂、d₂的關系為n₁²=n₀n₂，其中n₀為空氣的折射率，n₁d₁=λ₀/4，λ₀為入射光波長。