[實(shí)用新型]經(jīng)抗輻射加固的鋁柵CMOS反相器和CMOS半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320882202.4
• 申請(qǐng)日: 2013-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203760475U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張祿;孟欣;張偉;和斌;張燏;郭艷玲;邢岳;呂崇森
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京宇翔電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/092
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/092;H01L29/423
• 代理公司: 北京正理專(zhuān)利代理有限公司 11257
• 代理人: 張雪梅;張曉冬

1.一種經(jīng)抗輻射加固的鋁柵CMOS反相器，包括

分別包含源極、漏極和柵極的PMOS晶體管和NMOS晶體管，

分別包圍所述PMOS晶體管和所述NMOS晶體管的N⁺隔離環(huán)和P⁺隔離環(huán)，

所述PMOS晶體管的柵極和所述NMOS晶體管的柵極連通形成反相器的輸入端，

所述PMOS晶體管的漏極和所述NMOS晶體管的漏極連通形成反相器的輸出端，

所述PMOS晶體管的源極形成反相器的高電位端，

所述NMOS晶體管的源極形成反相器的低電位端，

其特征在于，

形成在NMOS晶體管的鋁柵電極層下方的場(chǎng)氧化層的厚度與所述NMOS晶體管的柵氧化層的厚度相同。

2.如權(quán)利要求1所述的經(jīng)抗輻射加固的鋁柵CMOS反相器，其特征在于，與NMOS晶體管的柵氧化層相同厚度的場(chǎng)氧化層沿鋁柵電極層的延伸方向延伸至所述P⁺隔離環(huán)。

3.如權(quán)利要求1所述的經(jīng)抗輻射加固的鋁柵CMOS反相器，其特征在于，與NMOS晶體管的柵氧化層相同厚度的場(chǎng)氧化層沿鋁柵電極層的延伸方向延伸至所述P⁺隔離環(huán)并覆蓋所述P⁺隔離環(huán)1-2微米。

4.如權(quán)利要求2所述的經(jīng)抗輻射加固的鋁柵CMOS反相器，其特征在于，與NMOS晶體管的柵氧化層相同厚度的場(chǎng)氧化層的寬度小于柵氧化層的寬度。

5.一種經(jīng)抗輻射加固的鋁柵CMOS半導(dǎo)體器件，包括

NMOS晶體管和PMOS晶體管，

分別包圍所述PMOS晶體管和所述NMOS晶體管的N⁺隔離環(huán)和P⁺隔離環(huán)，

其特征在于，

形成在所述NMOS晶體管的鋁柵電極層下場(chǎng)氧化層的厚度與所述NMOS晶體管的柵氧化層的厚度相同。

6.一種經(jīng)抗輻射加固的鋁柵CMOS半導(dǎo)體器件，包括

N型半導(dǎo)體襯底和形成在N型半導(dǎo)體襯底中P型阱區(qū)；

形成在N型半導(dǎo)體襯底中的P⁺源區(qū)和P⁺漏區(qū)，

形成在P型阱區(qū)中的N⁺源區(qū)和N⁺漏區(qū)，

包圍所述P⁺源區(qū)和P⁺漏區(qū)的N⁺隔離環(huán)以及包圍所述N⁺源區(qū)和N⁺漏區(qū)的P⁺隔離環(huán)；

形成在所述半導(dǎo)體襯底上的氧化物層；以及

形成在所述氧化物層上分別用于形成源極和漏極的互連電極層和用于形成柵極的鋁柵電極層，

其特征在于，

形成在NMOS晶體管的鋁柵電極層下場(chǎng)氧化層的厚度與所述NMOS晶體管的柵氧化層的厚度相同。

7.如權(quán)利要求5或6所述的經(jīng)抗輻射加固的鋁柵CMOS半導(dǎo)體器件，其特征在于，與NMOS晶體管的柵氧化層相同厚度的場(chǎng)氧化層沿鋁柵電極層的延伸方向從溝道區(qū)延伸至所述P⁺隔離環(huán)。

8.如權(quán)利要求5或6所述的經(jīng)抗輻射加固的鋁柵CMOS半導(dǎo)體器件，其特征在于，與NMOS晶體管的柵氧化層相同厚度的場(chǎng)氧化層沿鋁柵電極層的延伸方向從溝道區(qū)延伸至所述P⁺隔離環(huán)并覆蓋所述P⁺隔離環(huán)1-2微米。

9.如權(quán)利要求5或6所述的經(jīng)抗輻射加固的鋁柵CMOS半導(dǎo)體器件，其特征在于，與NMOS晶體管的柵氧化層相同厚度的場(chǎng)氧化層的寬度小于柵氧化層的寬度。