[實用新型]測試結構有效
| 申請號： | 201320878928.0 | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN203644759U | 公開（公告）日： | 2014-06-11 |
| 發明（設計）人： | 楊梅;李日鑫 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測試 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種測試結構，用于檢測通孔連線和柵極之間的重疊偏差，其特征在于，所述結構包括：柵極、有源區和多個通孔連線，所述通孔連線包括至少一個柵極通孔連線和多個有源區通孔連線，其中，所述柵極通孔連線形成在所述柵極上，所述有源區通孔連線形成在所述有源區上，并位于所述柵極的兩側與所述柵極保持預定距離S。
2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，位于所述柵極兩側的有源區通孔連線以所述柵極所在的直線呈線對稱排列。
3.如權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述有源區通孔連線與所述柵極的預定距離S的范圍為0～NA納米，其中，N為大于等于1的整數，A為版圖設計工藝規定下的最小距離。
4.如權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述有源區通孔連線按照與所述柵極保持預定距離S由小到大的排列方式依次排列。
5.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述有源區通孔連線的個數范圍是2～30個。
6.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構形成于半導體晶圓的切割道上。
7.如權利要求6所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構為多個，分別位于所述切割道不同部位。
8.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述有源區為NMOS有源區。
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