[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201320877890.5
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN203721727U
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 金熙哲;宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括：橫縱交叉設置的多條柵線和數據線，所述數據線的表面依次形成有刻蝕阻擋層以及第一透明電極；其特征在于，所述數據線的遠離所述柵線的部分與所述柵線同層形成在透明基板的表面，所述數據線在所述柵線區域斷開；

所述柵線區域具有源漏金屬層的圖案，所述源漏金屬層的圖案與所述柵線絕緣，位于所述柵線兩側的所述數據線通過所述源漏金屬層的圖案電連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述柵線與所述數據線的遠離所述柵線的部分，在所述柵線區域內，位于所述柵線兩側的所述數據線部分露出在所述第一絕緣層的表面；

在所述柵線區域，所述源漏金屬層的圖案形成在所述第一絕緣層的表面。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

TFT的柵極，所述TFT的柵極與所述柵線同層制成；

所述第一絕緣層形成在所述TFT的柵極的表面，在所述TFT的溝道區域，所述TFT的柵極部分露出在所述第一絕緣層的表面。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

依次形成在所述TFT的柵極表面的柵絕緣層以及半導體有源層的圖案；

所述半導體有源層的圖案采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。

5.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

形成在所述第一絕緣層表面的柵絕緣層；

所述刻蝕阻擋層形成在所述柵絕緣層的表面；

在所述柵線區域，過孔貫穿所述刻蝕阻擋層和所述柵絕緣層，以暴露出底部的所述第一絕緣層以及所述柵線兩側的所述數據線。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述柵線與所述數據線；

在所述柵線區域，所述源漏金屬層的圖案形成在所述第二絕緣層的表面，且所述源漏金屬層的圖案通過過孔分別與位于所述柵線兩側的所述數據線電連接。

7.根據權利要求1-6任一所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

形成在所述第一透明電極表面的鈍化層的圖案，所述鈍化層的圖案覆蓋位于所述柵線區域的源漏金屬層的圖案；

以及形成在所述鈍化層表面的第二透明電極。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；

且所述第一透明電極為面狀結構，所述第二透明電極為間隔排列的條狀結構。

9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1-8任一所述的陣列基板。