[實用新型]OLED顯示面板有效
| 申請號： | 201320877359.8 | 申請日： | 2013-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN203690349U | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發明（設計）人： | 張粲 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | oled 顯示 面板 | ||
【權利要求書】：
1.一種OLED顯示面板，包括依次形成在襯底基板上的陽極、有機發光層、陰極及第一光耦合層，其特征在于，還包括：形成在所述第一光耦合層背離所述陰極的一側的由若干表面為弧面的凸起結構排列成的第二光耦合層。?
2.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述表面為弧面的凸起結構為條形的半圓柱。?
3.如權利要求2所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述半圓柱的直徑小于所述顯示面板的亞像素寬度。?
4.如權利要求1所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述表面為弧面的凸起結構為半球。?
5.如權利要求4所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述半球的孔徑寬度小于所述顯示面板的亞像素寬度。?
6.如權利要求1～5中任一項所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第一光耦合層和第二光耦合層的厚度和為λ/4n，λ為發光峰值波長；n為所述第一光耦合層和第二光耦合層的折射率。?
7.如權利要求6所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述n大于等于1.8。?
8.如權利要求1～5中任一項所述的OLED顯示面板，其特征在于，所述第一光耦合層和第二光耦合層的材料包括：ZnSe、TiO2、SiO2、Si3N4、Alq3其中之一。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
