[實(shí)用新型]多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320876776.0
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN203774322U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳燕章
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市力維登光電科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/64;H01L33/62
• 代理公司: 深圳市中聯(lián)專利代理有限公司 44274
• 代理人: 李俊

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉發(fā)光二極管封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種使用壽命長、減少成本、提高封裝效率的多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著LED（發(fā)光二極管）照明技術(shù)的不斷發(fā)展，LED的生產(chǎn)規(guī)模在不斷擴(kuò)大，LED的封裝技術(shù)是其在生產(chǎn)制造過程中的關(guān)鍵的一環(huán)。LED封裝是指發(fā)光芯片的封裝，相比集成電路封裝有較大不同。LED的封裝不僅要求能夠保護(hù)燈芯，而且還要能夠透光。所以LED的封裝對封裝材料有特殊的要求。

因此，亟需一種使用壽命長、減少成本、提高封裝效率的多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種使用壽命長、減少成本、提高封裝效率的多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括：金屬基板、LED芯片及金屬導(dǎo)線，所述金屬基板上開設(shè)用于放置LED芯片的凹腔，所述凹腔的底部設(shè)置有銅基底層，所述金屬基板的上表面依次成型有第一導(dǎo)熱絕緣層、導(dǎo)線層及第二導(dǎo)熱絕緣層，所述LED芯片設(shè)置在所述銅基底層上，相鄰的兩個(gè)所述LED芯片的間距為0.5～1mm，且相鄰的兩個(gè)所述LED芯片之間填充有金屬銅，所述LED芯片上還覆蓋有熒光粉層，所述金屬導(dǎo)線一端與所述LED芯片電性連接，另一端穿過所述第二導(dǎo)熱絕緣層與所述導(dǎo)線層電性連接，所述銅基底層的厚度為0.25～0.3mm。

所述第一導(dǎo)熱絕緣層的厚度為45～48nm。

所述導(dǎo)線層為金鋁合金導(dǎo)線層，厚度為45～48nm。

所述第二導(dǎo)熱絕緣層的厚度為48～55nm。

所述凹腔的腔壁上還設(shè)置有鎳銀合金反射膜層。

所述凹腔上還覆蓋封裝有光學(xué)透鏡層。

所述凹腔的底部與腔壁的角度為120度。

所述金屬導(dǎo)線為金線或金鋁合金線。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，由于設(shè)置有所述第二導(dǎo)熱絕緣層，因此能夠覆蓋住所述導(dǎo)線層，能夠防止所述導(dǎo)線層在長期的高溫使用過程中，被氧化，而且直接將所述第二導(dǎo)熱絕緣層覆蓋于所述導(dǎo)線層上，因此能夠提高壽命、減少成本、提高封裝效率的多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

通過以下的描述并結(jié)合附圖，本實(shí)用新型將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本實(shí)用新型的實(shí)施例。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在參考附圖描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，附圖中類似的元件標(biāo)號代表類似的元件。如上所述，如圖1所示，本實(shí)用新型提供的多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100，包括：金屬基板1、LED芯片2及金屬導(dǎo)線3，所述金屬基板1上開設(shè)用于放置LED芯片2的凹腔4，所述凹腔4的底部設(shè)置有銅基底層5，所述金屬基板1的上表面依次成型有第一導(dǎo)熱絕緣層6、導(dǎo)線層7及第二導(dǎo)熱絕緣層8，所述LED芯片2設(shè)置在所述銅基底層5上，相鄰的兩個(gè)所述LED芯片2的間距為0.5～1mm，且相鄰的兩個(gè)所述LED芯片2之間填充有金屬銅11，所述LED芯片2上還覆蓋有熒光粉層12，所述金屬導(dǎo)線3一端與所述LED芯片2電性連接，另一端穿過所述第二導(dǎo)熱絕緣層8與所述導(dǎo)線層7電性連接，所述銅基底層5的厚度為0.25～0.3mm。

所述第一導(dǎo)熱絕緣層6的厚度為45～48nm。

所述導(dǎo)線層7為金鋁合金導(dǎo)線層，厚度為45～48nm。

所述第二導(dǎo)熱絕緣層8的厚度為48～55nm。

所述凹腔4的腔壁上還設(shè)置有鎳銀合金反射膜層9。

所述凹腔4上還覆蓋封裝有光學(xué)透鏡層10。

所述凹腔4的底部與腔壁的角度為120度。

所述金屬導(dǎo)線為金線或金鋁合金線。

結(jié)合圖1，本實(shí)用新型多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100，由于設(shè)置有所述第二導(dǎo)熱絕緣層8，因此能夠覆蓋住所述導(dǎo)線層7，能夠防止所述導(dǎo)線層7在長期的高溫使用過程中，被氧化，而且直接將所述第二導(dǎo)熱絕緣層8覆蓋于所述導(dǎo)線層7上，因此能夠提高壽命、減少成本、提高封裝效率的多晶片發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本實(shí)用新型之權(quán)利范圍，因此依本實(shí)用新型申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。