[實用新型]陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320873862.6
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN203644781U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐向陽
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

1.一種陣列基板，該陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線、多條柵線和多個氧化物薄膜晶體管，多條所述數(shù)據(jù)線與多條所述柵線互相交錯，將所述陣列基板劃分為多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有所述氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述陣列基板還包括至少設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線與所述柵線相交疊的部分的下方的氧化物層，該氧化物層的上表面與所述數(shù)據(jù)線的下表面相貼合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在每個所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊處均設(shè)置有所述氧化物層，所述氧化物層的寬度與所述數(shù)據(jù)線的寬度相同，所述氧化物層的長度與所述柵線的寬度相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物層對應(yīng)于整條所述數(shù)據(jù)線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物層和所述氧化物薄膜晶體管的有源層由同種材料制成，所述氧化物薄膜晶體管的有源層上方設(shè)置有刻蝕阻擋層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管的源極和漏極位于所述氧化物薄膜晶體管的有源層的上方，且所述氧化物薄膜晶體管的源極和漏極分別通過第一過孔和第二過孔與所述有源層相連，所述數(shù)據(jù)線穿過所述刻蝕阻擋層與所述氧化物層相貼合。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的有源層包括源極覆蓋區(qū)、漏極覆蓋區(qū)和位于所述源極覆蓋區(qū)和所述漏極覆蓋區(qū)之間的刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)，所述氧化物層包括位于所述有源層一側(cè)且與所述源極覆蓋區(qū)連續(xù)的的源極氧化物層和位于所述有源層另一側(cè)且與所述漏極覆蓋區(qū)連續(xù)的的漏極氧化物層，所述薄膜晶體管的源極的下表面的一部分與所述源極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述源極氧化物層貼合，所述薄膜晶體管的漏極的下表面的一部分與所述漏極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述漏極氧化物層貼合，所述刻蝕阻擋層的下表面與所述刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)貼合。

7.一種顯示裝置，該顯示裝置包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1至6中任意一項所述的陣列基板。