[實用新型]一種抗輻射的開關(guān)電源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320873353.3 | 申請日： | 2013-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN203761261U | 公開（公告）日： | 2014-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李小飛;程志平 | 申請（專利權(quán)）人： | 東莞市盈聚電子有限公司 |
| 主分類號： | H02M1/44 | 分類號： | H02M1/44;H05K9/00 |
| 代理公司： | 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44215 | 代理人： | 劉克寬 |
| 地址： | 523292 廣東省東莞市石*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 輻射 開關(guān)電源 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種抗輻射的開關(guān)電源，其特征在于：包括主電路板和獨立于主電路板的EMI濾波模塊，所述EMI濾波模塊的輸入端與市電輸入端連接，所述EMI濾波模塊的輸出端與主電路板連接，所述EMI包覆有封裝殼，所述封裝殼的內(nèi)表面涂鍍有第一金屬屏蔽層，所述封裝殼的外表面涂鍍有第二金屬屏蔽層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種抗輻射的開關(guān)電源，其特征在于：所述第一金屬屏蔽層是由高電阻率的金屬制成的金屬屏蔽層，所述第二金屬屏蔽層是由電阻率低的金屬制成的金屬屏蔽層。
3.如權(quán)利要求1所述的一種抗輻射的開關(guān)電源，其特征在于：所述封裝殼為由塑料材料一體成型的封裝殼。
4.如權(quán)利要求1所述的一種抗輻射的開關(guān)電源，其特征在于：所述EMI濾波模塊的輸出端和輸入端分別設(shè)置有一對金屬插腳。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東莞市盈聚電子有限公司，未經(jīng)東莞市盈聚電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320873353.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H02 發(fā)電、變電或配電
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設(shè)備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換；以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導(dǎo)電氣體放電管或等效的半導(dǎo)體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導(dǎo)體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設(shè)備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
