[實用新型]一種提高電極焊線穩定性的結構設計

有效

• 申請號: 201320871586.X
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN203674248U
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 李曉波;李珅;王義虎;甄珍珍;王靜輝;肖國華;范勝華
• 申請（專利權）人: 同輝電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 米文智

技術領域

本實用新型涉及一種半導體器件技術領域，尤其涉及一種提高電極焊線穩定性的結構設計。

背景技術

發光二極管（Light?Emitting?Diode，簡稱LED），它能將電能轉化為光能。LED光源屬于綠色光源，具有節能環保、壽命長、能耗低、安全系數高等優點，被廣泛應用于照明和背光領域。

GaN基LED是一種電致發光器件，因而需要在發光材料表面制作電極，從電極注入電流來驅動LED發光。目前常規的LED結構中，粗化P型區的外延片由于表面粗糙度較大導致在蒸發金屬電極后顏色不一致、表面凹凸不平，從而影響到封裝廠自動作業。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種提高電極焊線穩定性的結構設計。

為解決上述技術問題，本實用新型所采取的技術方案是：一種提高電極焊線穩定性的結構設計，該二極管外延片結構設計從下向上的順序依次為藍寶石襯底、N型半導體層、發光層、P型半導體層和電流擴展層，N型金屬電極連接N型半導體層，P型金屬電極連接電流擴展層，其特征在于所述P型半導體層設有P型平坦化層，所述N型半導體層設有N型平坦化層。

優選的，所述P型平坦化層設有與所述P型金屬電極相適配的凹槽，其中凹槽刻蝕深度為500nm，所述N型平坦化層設有與所述N型金屬電極相適配的凹槽，其中凹槽刻蝕深度為500nm。

優選的，所述N型金屬電極是金屬復合電極，材質是Cr/Pt/Au，其厚度為25nm/50nm/1500nm，所述P型金屬電極是金屬復合電極，材質是Cr/Pt/Au，其厚度為25nm/50nm/1500nm。

采用上述技術方案所產生的有益效果在于：本實用新型通過對P、N金屬電極位置進行平坦化改進，同時在刻蝕N型層時，減小N型區刻蝕區域，改進后的P、N金屬電極明暗場顏色一致，高度一致，粗糙度一致，極大地提高了封裝廠自動作業的速度，解決了焊線困難的問題。?

附圖說明

圖1是本實用新型整體結構示意圖；

其中，藍寶石襯底1，N型半導體層2,?發光層3,?P型半導體層4,?P型平坦化層5,?電流擴展層6,?P型金屬電極7,?N型平坦化層8,?N型金屬電極9。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

如圖1所示，本實用新型是一種提高電極焊線穩定性的結構設計，該二極管外延片結構設計從下向上的順序依次為藍寶石襯底1、N型半導體層2、發光層3、P型半導體層4和電流擴展層6，N型金屬電極9連接N型半導體層2，P型金屬電極7連接電流擴展層6，其特征在于所述P型半導體層4設有P型平坦化層5，所述N型半導體層2設有N型平坦化層8；所述P型平坦化層5設有與所述P型金屬電極7相適配的凹槽，其中凹槽刻蝕深度為500nm，所述N型平坦化層8設有與所述N型金屬電極9相適配的凹槽，其中凹槽刻蝕深度為500nm；所述N型金屬電極9是金屬復合電極，材質是Cr/Pt/Au，其厚度為25nm/50nm/1500nm，所述P型金屬電極7是金屬復合電極，材質是Cr/Pt/Au，其厚度為25nm/50nm/1500nm。

本實用新型可通過以下步驟制備而成，

（1）在藍寶石基板1上利用金屬有機化合物化學氣相沉淀（英文縮寫為MOCVD）外延層，其從下到上依次包括N型半導體層2、發光層3、P型半導體層4。??

（2）在該外延層上，利用光刻、腐蝕和干蝕刻技術，從P型半導體層4表面往下蝕刻出部分裸露的N型半導體層2。

（3）利用光刻、刻蝕工藝將P、N金屬電極下的P型半導體層4區域刻蝕下500nm，使其表面平坦化。

（4）采用電子束蒸發在P型半導體層4上表面形成ITO?透明電流擴展層6，其厚度250nm。

（5）采用光刻、電子束蒸發和金屬剝離技術，在所述ITO電流擴展層6和裸露的N型半導體層2上蒸發金屬電極。

本實用新型通過對P、N金屬電極位置進行平坦化改進，同時在刻蝕N型層時，減小N型區刻蝕區域，改進后的P、N金屬電極明暗場顏色一致，高度一致，粗糙度一致，極大地提高了封裝廠自動作業的速度，解決了焊線困難的問題。?