[實用新型]精密多晶硅電阻器結構及集成電路

有效

• 申請號: 201320870763.2
• 申請日: 2013-12-20
• 公開（公告）號: CN204614777U
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發明（設計）人: P·蒙塔尼尼;G·利克;B·H·恩格爾;R·M·米勒;J·Y·金
• 申請（專利權）人: 意法半導體公司;國際商業機器公司;格羅方德公司;三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/08
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種精密多晶硅電阻器結構，其特征在于，包括：

具有上表面的硅襯底；

在所述硅襯底中形成的隔離場，所述隔離場由與金屬柵極晶體管接觸并且相鄰的氧化物填充，所述氧化物相對于所述硅襯底的所述上表面凹陷；

精密多晶硅電阻器，覆蓋在填充的隔離場上面并且與填充的隔離場接觸；

絕緣材料，覆蓋所述多晶硅電阻器并且與所述多晶硅電阻器接觸；

層間電介質；以及

一個或者多個金屬塞，其穿透所述層間電介質以在金屬-多晶硅結處與所述多晶硅電阻器形成歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的電阻器結構，其特征在于，所述金屬塞包括鎢。

3.根據權利要求1所述的電阻器結構，其特征在于，在所述金屬柵極晶體管內的有源硅區域的至少一部分是外延生長的部分。

4.根據權利要求3所述的電阻器結構，其特征在于，所述外延生長的部分用鍺或者碳中的一項或者多項摻雜。

5.根據權利要求1所述的電阻器結構，其特征在于，還包括在所述金屬-多晶硅結處形成的金屬硅化物。

6.根據權利要求4所述的電阻器結構，其特征在于，所述金屬硅化物包括鎢、鎳、鉑、鈦、鈷中的一項或者多項，或者其合金。

7.根據權利要求1所述的電阻器結構，其特征在于，還包括向所述多晶硅電阻器中注入的一種或者多種摻雜物，所述摻雜物引起所述多晶硅電阻器的電阻改變。

8.一種集成電路，其特征在于，包括：

硅襯底；

在所述硅襯底中形成的替換金屬柵極晶體管，所述晶體管包括：

一個或者多個隔離溝槽；

源極區域和漏極區域；以及

替換金屬柵極；以及

至少一個多晶硅電阻器，與所述替換金屬柵極晶體管相鄰，所述多晶硅電阻器形成于凹陷的隔離場之上。

9.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，使用犧牲多晶硅柵極作為掩膜來形成所述源極區域和所述漏極區域。

10.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，外延生長所述源極區域和所述漏極區域。

11.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，還包括選擇性地耦合到所述多晶硅電阻器的除了所述替換金屬柵極晶體管之外的電子部件。

12.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，通過用摻雜物注入來調節所述多晶硅電阻器。

13.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述多晶硅電阻器包括具有厚度的多晶硅膜，并且在制作期間通過變化所述多晶硅膜厚度來調節所述多晶硅電阻器。

14.根據權利要求8所述的集成電路，其特征在于，還包括鎢互連，在所述鎢互連中通過金屬硅化物形成去往所述多晶硅電阻器的歐姆接觸。