[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201320869809.9
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN203644780U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 金熙哲;宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括：依次形成在透明基板表面的TFT的柵極以及柵絕緣層，在所述柵絕緣層對應所述TFT的柵極區域的表面依次形成有半導體有源層的圖案、刻蝕阻擋層的圖案以及所述TFT的源極和漏極，所述TFT的源極和漏極分別通過過孔與所述半導體有源層的圖案相接觸；其特征在于，還包括：

形成在所述TFT的柵極和所述柵絕緣層之間的第一絕緣層的圖案，所述第一絕緣層的圖案對應所述TFT的源極區域和/或所述TFT的漏極區域；

在對應所述TFT的溝道區域，所述柵極與所述柵絕緣層接觸。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

形成在所述透明基板和所述TFT的柵極之間的第二絕緣層的圖案，所述第二絕緣層的圖案對應所述TFT的溝道區域；

所述第二絕緣層的圖案與所述TFT的柵極的厚度之和大于等于所述第一絕緣層的圖案的厚度。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

形成在所述刻蝕阻擋層的圖案表面的第一透明電極，所述第一透明電極與所述TFT的漏極相接觸；

形成在所述第一透明電極表面的鈍化層的圖案，所述鈍化層的圖案覆蓋所述TFT區域；

形成在所述鈍化層表面的第二透明電極。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；

且所述第一透明電極為面狀結構，所述第二透明電極為間隔排列的條狀結構。

5.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層的圖案和所述第二絕緣層的圖案均采用有機樹脂材料制成。

6.根據權利要求1-5任一所述的陣列基板，其特征在于，當所述第一絕緣層的圖案同時對應所述TFT的源極區域和所述TFT的漏極區域時，所述TFT的源極區域和所述TFT的漏極區域分別對應的所述第一絕緣層的圖案的厚度相等；

所述第一絕緣層的圖案的厚度為1μm－3μm。

7.根據權利要求1-5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體有源層的圖案采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。

8.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1-7任一所述的陣列基板。