[實用新型]太陽能電池燒結爐帶有效
| 申請號: | 201320868705.6 | 申請日: | 2013-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN203644811U | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 孫雙慶;范林青;劉俊嶺 | 申請(專利權)人: | 英利能源(中國)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 吳貴明;張永明 |
| 地址: | 071051 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 燒結爐 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池加工領域,具體而言,涉及一種太陽能電池燒結爐帶。
背景技術
單晶硅片的標準尺寸為156*156mm,厚度180μm左右,電池片經過印刷之后進入燒結爐進行燒結。
如圖1所示,現有技術中通常采用的單晶太陽能電池燒結爐帶包括網帶10’與固定于網帶10’上的用于支撐電池片的支架20’,因太陽能電池的柵線與燒結爐帶的支架20’之間的支點有接觸,容易損傷柵線,影響電池質量。
實用新型內容
本實用新型旨在提供一種太陽能電池燒結爐帶,以解決現有技術中太陽能電池燒結爐帶易影響電池質量的問題。
為了實現上述目的,根據本實用新型的一個方面,提供了一種太陽能電池燒結爐帶,用于對太陽能電池片進行燒結,包括:網帶;支架,固定設置在網帶上,包括相對設置并沿太陽能電池片的傳輸方向延伸的第一支撐部和第二支撐部,太陽能電池片設置在第一支撐部和第二支撐部之間,并與網帶間隔設置。
進一步地,第一支撐部包括相連接的第一連接段和設置在第一連接段下側的第二連接段,第一連接段和第二連接段之間形成第一下凹拐角,第二支撐部包括相連接的第三連接段和設置在第三連接段下側的第四連接段,第三連接段和第四連接段之間形成第二下凹拐角,太陽能電池片的相對兩側分別支撐在第一下凹拐角和第二下凹拐角處。
進一步地,第二連接段靠近第一下凹拐角的位置處具有第一水平接觸段,第四連接段靠近第二下凹拐角的位置處具有第二水平接觸段,第一水平接觸段和第二水平接觸段位于同一高度,太陽能電池片的相對兩側分別支撐在第一水平接觸段和第二水平接觸段上。
進一步地,第一水平接觸段和第二水平接觸段的寬度為0.2至1.5mm。
進一步地,第一支撐部還包括相連接的第五連接段和設置在第五連接段下側的第六連接段,第五連接段與第六連接段連接,并設置在第六連接段下側,第六連接段和第五連接段之間形成第三下凹拐角,第二支撐部還包括相連接的第七連接段和設置在第七連接段下側的第八連接段,第七連接段與第八連接段連接,并設置在第八連接段下側,第八連接段和第七連接段之間形成第四下凹拐角。
進一步地,第六連接段靠近第三下凹拐角的位置處具有第三水平接觸段,第八連接段靠近第四下凹拐角的位置處具有第四水平接觸段,第三水平接觸段和第四水平接觸段位于同一高度,太陽能電池片的相對兩側分別支撐在第三水平接觸段和第四水平接觸段上。
進一步地,第三水平接觸段和第四水平接觸段的寬度為0.2至1.5mm。
進一步地,第一支撐部的外側設置有第一輔助支撐部,第二支撐部的外側設置有第二輔助支撐部,第一輔助支撐部和第二輔助支撐部均固定設置在網帶上。
進一步地,支架包括第一支架和第二支架,第一支撐部位于第一支架上,第二支撐部位于第二支架上,第一支架和第二支架鏡面對稱。
應用本實用新型的技術方案,用于對太陽能電池片進行燒結的太陽能電池燒結爐帶包括:網帶;支架,固定設置在網帶上,包括相對設置并沿太陽能電池的傳輸方向延伸的第一支撐部和第二支撐部,太陽能電池設置在第一支撐部和第二支撐部之間,并與網帶間隔設置。通過設置第一支撐部和第二支撐部,并使太陽能電池設置在第一支撐部和第二支撐部之間的方式,可以使太陽能電池通過兩個斜支撐部進行支撐,同時太陽能電池的柵線與燒結爐帶的支架之間不會有接觸,因此可以避免損傷柵線,保證電池質量。
附圖說明
構成本實用新型的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解,本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型,并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中:
圖1示出了現有技術中的太陽能電池燒結爐帶的結構示意圖;
圖2示出了根據本實用新型的實施例的太陽能電池燒結爐帶的結構示意圖;
圖3示出了根據圖2的A處的放大結構示意圖;
圖4示出了根據圖2的B處的放大結構示意圖;
圖5示出了根據圖2的C處的放大結構示意圖;以及
圖6示出了根據圖2的D處的放大結構示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





