[實用新型]擴散爐尾氣收集裝置有效
| 申請號: | 201320867781.5 | 申請日: | 2013-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN203631579U | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 王英超;郎芳;李高非;史金超 | 申請(專利權)人: | 英利集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/228 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 吳貴明;張永明 |
| 地址: | 071051 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 擴散 尾氣 收集 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池技術領域,具體而言,涉及一種擴散爐尾氣收集裝置。
背景技術
在半導體制造或者太陽能電池領域,擴散工序中比較常用的擴散設備是擴散爐,擴散工序的工藝氣體一般是指氧氣、氮氣、源氣體(如三氯氧磷、三溴化硼等)。工藝氣體在擴散爐管內經過化學反應后,被排出擴散爐管的廢氣體(殘留的工藝氣體和反應后產生的氣體)稱為尾氣。如圖1所示,擴散爐尾氣處理裝置包括殘液罐2、排風管路3和排風機4,殘液罐2設在擴散爐1與排風管路3之間,殘液罐2起到冷卻尾氣、收集尾氣的作用。工藝氣體在擴散爐管內經過化學反應,會產生一些尾氣,這些尾氣在經過擴散爐1的尾氣管、殘液罐2的冷卻后,部分尾氣通過排風管路3從排風機4排出。但是,這些有害尾氣的沸點都在200度左右,只靠殘液罐冷卻不能將所有的尾氣都冷卻至液態,會導致部分尾氣被直接排出,使殘液罐2冷卻收集尾氣的效果不佳。
具體地,硅片在經過制絨工序做表面處理后會采用純水長時間的清洗,清洗后進行干燥處理。但是,清洗后還會有少部分的水分存在硅片內部,當硅片進入擴散工藝后水分會揮發出來。以磷擴散為例,擴散工藝用到的源氣體是三氯氧磷,在擴散爐1中,三氯氧磷和氧氣反應生成五氧化二磷,五氧化二磷與硅反應生成二氧化硅和單質磷,磷原子與硅結合形成了PN結。反應后尾氣中包含沒有反應完全的三氯氧磷、五氧化二磷,由于五氧化二磷在300度以上是氣態,五氧化二磷遇到上述水分會形成偏磷酸。由于五氧化二磷具有很強的腐蝕性和偏磷酸有劇毒,這兩種尾氣都會對人體呼吸道造成很大的傷害。由于殘液罐2的冷卻效果不佳,經過殘液罐2冷卻之后會有部分五氧化二磷和偏磷酸被與殘液罐排氣口連接的排風管路3排出。這樣會導致排出的尾氣太多,如果尾氣不能及時被處理就會污染環境,對人體和環境造成危害。
實用新型內容
本實用新型旨在提供一種擴散爐尾氣收集裝置,以解決現有技術中殘液罐冷卻效果不佳的問題。
為了實現上述目的,本實用新型提供了一種擴散爐尾氣收集裝置,包括:殼體,殼體包括內腔及與內腔連通的進氣口和排氣口,擴散爐尾氣收集裝置還包括:障壁,障壁設置在內腔中,相鄰障壁之間和/或障壁與殼體的內壁之間形成有連通進氣口和排氣口的氣流通道。
進一步地,障壁包括相對設置的第一障壁和第二障壁,第一障壁和第二障壁之間、第一障壁與殼體之間以及第二障壁與殼體之間形成氣流通道。
進一步地,第一障壁和第二障壁的截面呈圓弧狀,并且第一障壁的半徑小于第二障壁的半徑。
進一步地,障壁還包括相對設置的第三障壁和第四障壁,第三障壁和第四障壁設置在第一障壁和第二障壁的周向外側,第一障壁、第二障壁、第三障壁和第四障壁中的任意兩者之間、第三障壁與殼體之間以及第四障壁與殼體之間形成氣流通道。
進一步地,第三障壁和第四障壁的截面呈圓弧狀,并且第三障壁的半徑小于第四障壁的半徑。
進一步地,第一障壁的開口方向與第二障壁的開口方向沿第一徑向方向彼此相對,第一障壁的側邊沿與第二障壁的側邊沿之間形成氣流通道的第一通道間隙,第四障壁的開口方向與第三障壁的開口方向沿第二徑向方向彼此相對,第四障壁的側邊沿與第三障壁的側邊沿之間形成氣流通道的第二通道間隙,第一徑向方向與第二徑向方向呈角度。
進一步地,第一徑向方向與第二徑向方向垂直。
進一步地,第一障壁、第二障壁、第三障壁和第四障壁的表面均具有凸起。
進一步地,擴散爐尾氣收集裝置還包括支撐件和連接件,支撐件固定設置在第一障壁和第二障壁之間,連接件包括第一連接件、第二連接件、第三連接件和第四連接件,第一障壁與支撐件通過第一連接件連接,第二障壁與支撐件通過第二連接件連接,第三障壁與支撐件通過第三連接件連接,第四障壁與支撐件通過第四連接件連接。
進一步地,第一連接件和第二連接件沿第一徑向方向布置,第三連接件和第四連接件沿第二徑向方向布置。
進一步地,第一連接件、第二連接件、第三連接件和第四連接件之間形成十字形。
進一步地,第三障壁的兩個側邊沿伸入至第四障壁的開口內。
進一步地,進氣口設置在殼體的端壁上,排氣口設置在殼體的側壁上。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





