[實(shí)用新型]一種高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320867751.4
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN203721722U
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 約瑟夫俄依恩扎
• 申請（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：?

P型襯底；?

形成在所述P型襯底上的第一N型阱、第二N型阱和第三N型阱；?

形成在所述P型襯底上具有第一寬度的第一P型阱，所述第一P型阱形成在第一N型阱和第二N型阱之間，所述第一寬度取決于第一N型阱和第二N型阱間的穿通電壓；?

形成在所述P型襯底上具有第二寬度的第二P型阱，所述第二P型阱形成在第二N型阱和第三N型阱之間，所述第二寬度取決于第二N型阱和第三N型阱間的穿通電壓。?

2.如權(quán)利要求1所述的高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中每個(gè)N型阱經(jīng)由N型掩埋層耦接至所述P型襯底。?

3.如權(quán)利要求1所述的高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：?

形成在第一N型阱上但不與第一N型阱直接連接的第一高板多晶硅電阻；?

形成在第二N型阱上但不與第二N型阱直接連接的第二高板多晶硅電阻；以及?

形成在第三N型阱上但不與第三N型阱直接連接的第三高板多晶硅電阻。?

4.如權(quán)利要求1所述的高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：?

鄰近第一N型阱的N型漂移區(qū)；?

附著于所述N型漂移區(qū)的N型阱；以及?

一系列設(shè)置在第一N型阱和漂移區(qū)的邊沿的重?fù)诫sN型區(qū)、接觸點(diǎn)以及第一金屬層。?

5.如權(quán)利要求1所述的高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：?

形成在第一N型阱內(nèi)的第三P型阱和第四N型阱。?

6.如權(quán)利要求1所述的高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：?

與第一N型阱和第二N型阱接觸的金屬層，以形成第一肖特基二極管和第二肖特基二極管。?

7.如權(quán)利要求1所述的高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中第三N型阱被第二N型阱環(huán)繞。?

8.如權(quán)利要求1所述的高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中第二N型阱和第三N型阱形成在第一N型阱內(nèi)。?

9.如權(quán)利要求1所述的高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：?

形成在第二N型阱上的焊盤入口。?

10.如權(quán)利要求1所述的高壓電路版圖設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述第一P型阱具有耦接至第一肖特基二極管陽極和第二肖特基二極管陽極的的重?fù)诫sP型區(qū)。?