[實(shí)用新型]陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320865726.2
• 申請(qǐng)日: 2013-12-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203644757U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李田生;謝振宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/50
• 分類號(hào): H01L23/50;G09G3/36
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及設(shè)有該陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD）已在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。現(xiàn)在的TFT-LCD中越來(lái)越多的采用陣列基板行驅(qū)動(dòng)（Gate?driver?On?Array，GOA）技術(shù)，即在陣列基板的板邊劃分GOA區(qū)域，在GOA區(qū)域中將柵極金屬與源漏極金屬通過(guò)貫穿柵絕緣層和有源層的過(guò)孔電連接，作為柵極驅(qū)動(dòng)電路的一部分，以實(shí)現(xiàn)更高的像素密集度（Pixel?Per?Inch，PPI）。同時(shí)，為了節(jié)省陣列基板制造過(guò)程中掩膜版的使用次數(shù)，通常利用一次掩膜版工藝在GOA區(qū)域形成貫穿柵絕緣層和有源層的過(guò)孔。例如，在高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換（Advanced?super?Dimension?Switch，ADS）型陣列基板的制造過(guò)程中，利用一次掩膜版工藝在GOA區(qū)域刻蝕有源層和柵絕緣層，形成過(guò)孔，就可以只通過(guò)六次掩膜版工藝形成陣列基板。

本實(shí)用新型人在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題：如圖1a所示，圖中襯底基板1的左半部分為GOA區(qū)域，右半部分為顯示區(qū)域，在GOA區(qū)域的襯底基板1上形成有柵極金屬21、柵絕緣層3和有源層4，在柵絕緣層3和有源層4上刻蝕形成過(guò)孔5之后，還需要利用光刻膠10刻蝕掉除顯示區(qū)域中的薄膜晶體管（TFT）區(qū)域之外的有源層4。但是刻蝕有源層4的同時(shí)，柵極金屬21也會(huì)被刻蝕，最后會(huì)形成貫穿柵絕緣層3和柵極金屬21的過(guò)孔5，如圖1b所示，這將使后續(xù)沉積的源漏極金屬只能與柵極金屬的側(cè)面接觸，由于源漏極金屬與柵極金屬之間的接觸面積太小，導(dǎo)致GOA區(qū)域中源漏極金屬與柵極金屬之間電連接的穩(wěn)定性較差的技術(shù)問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板及設(shè)有該陣列基板的顯示裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于GOA區(qū)域的源漏極金屬與柵極金屬之間的接觸面積太小，導(dǎo)致源漏極金屬與柵極金屬之間電連接的穩(wěn)定性較差的技術(shù)問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和GOA區(qū)域，在所述GOA區(qū)域，從下至上依次包括柵極金屬、柵絕緣層和源漏極金屬，所述柵絕緣層上形成有缺口，所述柵極金屬上形成有過(guò)孔，且所述過(guò)孔位于所述缺口的范圍之內(nèi)；

所述源漏極金屬在所述缺口中與所述柵極金屬的上表面電連接。

進(jìn)一步，所述顯示區(qū)域中的TFT區(qū)域，從下至上依次包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極；

所述源極和所述漏極分別位于所述有源層的兩側(cè)，并與所述有源層連接。

本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所提供的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)：在GOA區(qū)域的柵絕緣層上形成了面積較大的缺口，并且使柵極金屬上形成的過(guò)孔位于該缺口的范圍之內(nèi)，那么在缺口中除過(guò)孔以外的部分就會(huì)露出柵極金屬的上表面，因此后續(xù)沉積的源漏極金屬就能夠在缺口中與柵極金屬露出的上表面接觸，從而顯著增大了源漏極金屬與柵極金屬之間的接觸面積，提高了GOA區(qū)域中源漏極金屬與柵極金屬之間電連接的穩(wěn)定性。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹。

圖1a和1b為現(xiàn)有的陣列基板的示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的實(shí)施例所提供的陣列基板的示意圖；

圖3a至圖3j為本實(shí)用新型的實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法的制造過(guò)程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。

如圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的陣列基板包括顯示區(qū)域和GOA區(qū)域。在GOA區(qū)域，從下至上依次包括形成于襯底基板1上的柵極金屬21、柵絕緣層3和源漏極金屬61，柵絕緣層3上形成有缺口30，柵極金屬21上形成有過(guò)孔5，且過(guò)孔位5于缺口30的范圍之內(nèi)，源漏極金屬61在缺口30中與柵極金屬21的上表面電連接。