[實用新型]一種超薄高效能Flash LED 元件

有效

• 申請號: 201320865589.2
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN203707171U
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 盛梅;蔡志嘉
• 申請（專利權）人: 常州歐密格光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 李帥

技術領域

本實用新型涉及一種超薄高效能Flash?LED元件，尤其涉及一種應用于攝像頭閃光燈的Flash?LED元件。

背景技術

百萬像素拍照手機已逐漸成為市場主流趨勢，其照相功能越來越強，拍照功能已不僅僅是種擺設。此外，一些便攜式媒體播放器也開始增加百萬像素以上的攝像頭，自帶了拍照功能。與此同時，與百萬像素攝像頭配合，Flash?LED作為閃光燈，在一定距離內對成像效果的提高確實有明顯作用。在這種大趨勢下，越來越多的手機、PMP設計人員在自己的設計中加入了Flash?LED的閃光燈應用。

（1）現有的散熱材料結構:以前人們就注意到白光LED發光效率是隨著溫度的升高而下降的,并且認為溫度的升高使藍光芯片的發射波長紅移,這樣芯片的發射波長和熒光粉的激發波長越來越不匹配,所以降低了白光LED的發光效率。我們得出,即使不存在波長匹配的問題,白光LED的發光效率也會隨著溫度的升高而下降。

發光效率隨著溫度升高而減小的原因從理論上分析如下:根據VanRoosbrock-Shockley關系,物體的發射率為：

L(ν)≈8πν²n²α(ν)exp(-hν/k_BT)/c²(1)，

n是折射率,α(ν)是吸收系數。

對于電致發光的LED結型半導體，頻率為ν的光子發射率為：

L(ν)=n_un_lW_em=n_i²W_e(2)，

n_u是上能級被占據的電子態密度,n_l是下能級的空穴態密度,n_i是本征激發載流子密度。式(1)、(2)聯立得為單位體積輻射躍遷幾率

W_em=8πν²n²α(ν)exp(-hν/k_BT)/(c²n_i²)(3)，

本征激發載流子密度的平方：

n_i²=2.32×10³⁰(m_p³m_n³/m₀)^3/2T³exp(-E_g/k_BT)(4)，

聯立式(3)(4)得單位體積輻射躍遷幾率：

W_em=3.45×10^-30πν²n²α(ν)(m_p³m_n³/m₀)^-3/2·exp[(E_g-hν)/k_BT]·1/(T³c²)∝exp[(E_g-hν)/k_BT]/T³(5)，

由公式(5)看出頻率為ν的光子輻射躍遷幾率是溫度的減函數。也就是溫度的升高降低了輻射復合率,因此發光效率也會降低。