[實用新型]GaN基發光二極管外延片及GaN基發光二極管有效
| 申請號： | 201320860420.8 | 申請日： | 2013-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN203659912U | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 李鵬;張翼 | 申請（專利權）人： | 佛山市國星半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 528226 廣東省佛山市南海*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gan 發光二極管 外延 | ||
1.一種GaN基發光二極管外延片，其特征在于，包括：
襯底；
n型半導體層，形成于所述襯底表面；
插入層，形成于所述n型半導體層表面，且所述插入層包括：多個氮化銦鎵層，以及位于相鄰兩個所述氮化銦鎵層之間的緩沖層；
發光層，形成于所述插入層表面；
電子阻擋層，形成于所述發光層表面；
p型半導體層，形成于所述電子阻擋層表面。
2.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管外延片，其特征在于，所述緩沖層為氮化鎵層。
3.根據權利要求2所述的GaN基發光二極管外延片，其特征在于，所述氮化鎵層的厚度范圍為0.5nm～3nm，包括端點值。
4.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管外延片，其特征在于，所述氮化銦鎵層包括InxGa1-xN，其中，x的范圍為0.01～0.20，包括端點值。
5.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管外延片，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底、氮化鎵襯底、碳化硅襯底或硅襯底。
6.一種GaN基發光二極管，其特征在于，包括：
襯底；
n型半導體層，形成于所述襯底表面，其表面分為第一區域和第二區域；
插入層，形成于所述n型半導體層的第一區域上，且所述插入層包括：多個氮化銦鎵層，以及位于相鄰兩個所述氮化銦鎵層之間的緩沖層；
發光層，形成于所述插入層表面；
電子阻擋層，形成于所述發光層表面；
p型半導體層，形成于所述電子阻擋層表面；
n型電極，形成于所述n型半導體層的第二區域；以及，
p型電極，形成于所述p型半導體層表面。
7.根據權利要求6所述的GaN基發光二極管，其特征在于，所述緩沖層為氮化鎵層。
8.根據權利要求7所述的GaN基發光二極管，其特征在于，所述氮化鎵層的厚度范圍為0.5nm～3nm，包括端點值。
9.根據權利要求6所述的GaN基發光二極管，其特征在于，所述氮化銦鎵層包括InxGa1-xN，其中，x的范圍為0.01～0.20，包括端點值。
10.根據權利要求6所述的GaN基發光二極管，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底、氮化鎵襯底、碳化硅襯底或硅襯底。
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