[實用新型]一種干刻設備的電極和干刻設備

有效

• 申請號: 201320858898.7
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN203659813U
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 季云龍;郭曉龍;華梓同;楊冬
• 申請（專利權）人: 成都天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01J37/32;H01J37/04
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

技術領域

本實用新型實施例涉及干刻技術，尤其涉及一種干刻設備的電極和干刻設備。

背景技術

干刻（干法刻蝕）工藝在光刻工藝中已經發展地越來越成熟。干刻工藝的原理，通常情況下是利用等離子體放電來把基板上無光刻膠或諸如SiO2的硬掩膜掩蔽的金屬膜或非金屬膜刻蝕掉，使有光刻膠或硬掩膜掩蔽的區域保存下來，在基板上形成所需要的圖形。

對基板進行干刻是在干刻設備的反應腔中完成的，圖1是現有技術中的干刻設備的反應腔的示意圖，如圖1所示，干刻設備的反應腔包括腔體10、位于腔體之上的上部電極11和位于腔體10之中的下部電極12。在對基板進行干法刻蝕時，基板13放置于下部電極12之上。其中，下部電極也稱為底部電極。圖2是現有技術中干刻設備的下部電極的剖面示意圖，圖3是現有技術中干刻設備的下部電極的俯視圖。如圖2和圖3所示，干刻設備的下部電極包括電極基底210、設置于電極基底210上的絕緣層220、位于絕緣層220上且圍繞絕緣層220周邊設置的邊緣凸臺230，其中，邊緣凸臺230具有用于安裝所述干刻設備的支撐桿的半圓弧狀的墊結構231，支撐桿安裝在支撐桿孔232中。

下部電極12中的邊緣凸臺230用于防止背部冷卻氣體溢出，但是，由于邊緣凸臺230略高于下部電極12的中心，使得所述基板降落到下部電極12上時所述基板的邊緣與邊緣凸臺230之間產生緊密接觸，使得完成刻蝕后的基板在抬升的過程中有可能出現吸片現象，而隨著下部電極12使用周期的增加，邊緣凸臺230上會不斷沉積由基板背面帶來的各類物質（包括硅化物和光刻膠），而且沉積物很難去除，使得吸片現象越來越嚴重。圖4是現有技術中完成刻蝕后的基板13在抬升的過程中出現的吸片現象的示意圖，如圖4所示，吸片現象即完成刻蝕后的基板13在抬升的過程中與邊緣凸臺230吸附在一起的現象。吸片現象可能導致基板13破碎，影響基板的合格率。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型實施例提供一種干刻設備的電極和干刻設備，以改善刻蝕完成后的吸片現象，提高基板刻蝕的合格率。

第一方面，本實用新型實施例提供了一種干刻設備的電極，所述電極包括：電極基底；設置于所述電極基底上的絕緣層；位于所述絕緣層上且圍繞所述絕緣層周邊設置的邊緣凸臺，所述邊緣凸臺具有用于安裝所述干刻設備的支撐桿的墊結構；其中，所述邊緣凸臺包含多個突起結構，所述多個突起結構布置在所述邊緣凸臺上且圍繞所述邊緣凸臺的周邊。

第二方面，本實用新型實施例還提供了一種干刻設備，所述干刻設備包括本實用新型任意實施例提供的干刻設備的電極。

本實用新型實施例提供的干刻設備的電極和干刻設備通過在邊緣凸臺上且圍繞所述邊緣凸臺的周邊布置多個突起結構，使所述電極和基板之間留出了空隙，改善了基板刻蝕完成后的吸片現象，提高了基板刻蝕的合格率。

附圖說明

圖1是現有技術中的干刻設備的反應腔的示意圖；

圖2是現有技術中干刻設備的下部電極的示意圖；

圖3是現有技術中干刻設備的下部電極的俯視圖；

圖4是現有技術中完成刻蝕后的基板在抬升的過程中出現的吸片現象的示意圖；

圖5是本實用新型一實施例提供的干刻設備的電極的俯視圖；

圖6是本實用新型實施例提供的干刻設備的電極的沿圖5中AA’的剖面示意圖；

圖7是本實用新型一實施例提供的干刻設備的電極的俯視圖；

圖8是本實用新型一實施例提供的干刻設備的電極中的墊結構為梯形結構的俯視圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本實用新型，而非對本實用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實用新型相關的部分而非全部內容。