[實用新型]一種SOI壓力應變計

有效

• 申請號: 201320858735.9
• 申請日: 2013-12-23
• 公開（公告）號: CN203643063U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 沈紹群;羅小勇;梁棟漢;阮炳權
• 申請（專利權）人: 新會康宇測控儀器儀表工程有限公司;上海旦宇傳感器科技有限公司
• 主分類號: G01L1/18
• 分類號: G01L1/18;B81B1/00;B81C1/00
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 馮劍明

1.一種SOI壓力應變計，包括壓力應變計，其特征在于：所述壓力應變計包括SOI絕緣硅片，所述SOI絕緣硅片從下至上依次包括硅襯底、二氧化硅絕緣薄膜和硅薄膜，所述硅薄膜上設置有兩個或四個的力敏電阻，所述力敏電阻上設有內引線通道，所述內引線通道內設置有金屬內引線，還包括用于與傳感器芯片連接的鋁電極，所述力敏電阻通過金屬內引線相互連接和/或與鋁電極連接組成壓力測量電路。

2.根據權利要求1所述的一種SOI壓力應變計，其特征在于：所述內引線通道下方的硅薄膜上形成有其對應的濃硼擴散基體。

3.根據權利要求1所述的一種SOI壓力應變計，其特征在于：所述金屬內引線為鋁硅引線或鉻鎳金引線。

4.根據權利要求1所述的一種SOI壓力應變計，其特征在于：所述硅薄膜及力敏電阻的上表面覆蓋有一層氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜與二氧化硅絕緣薄膜形成復合絕緣基體。

5.根據權利要求1所述的一種SOI壓力應變計，其特征在于：包括兩個力敏電阻，所述力敏電阻之間組成半橋惠斯頓測量電路。

6.根據權利要求1所述的一種SOI壓力應變計，其特征在于：包括四個力敏電阻，相互之間組成全橋惠斯頓測量電路。

7.根據權利要求1所述的一種SOI壓力應變計，其特征在于：包括兩個力敏電阻，每個力敏電阻的兩端分別通過金屬內引線與鋁電極連接形成平行獨立對電阻。

8.根據權利要求5至7任一所述的一種SOI壓力應變計，其特征在于：所述壓力應變計設置于17-4PH不銹鋼彈性基座的圓形彈性膜上，所述的力敏電阻分成兩組，其中一組力敏電阻與圓形彈性膜的切線平行，另外一組力敏電阻與上述圓形彈性膜的切線相垂直。

9.根據權利要求8所述的一種SOI壓力應變計，其特征在于：所述的力敏電阻設置于圓形彈性膜邊緣的應力峰值區。

10.根據權利要求8所述的一種SOI壓力應變計，其特征在于：所述壓力應變計通過玻璃粉的微熔技術與17-4PH不銹鋼彈性基座連為一體。