[實用新型]一種多層結構的阻隔真空膜

有效

• 申請號: 201320858526.4
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN203792835U
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 賀艷;張受業;陳強;李海燕;趙萌;呂旭東;朱惠欽;陳偉岸;陳立國
• 申請（專利權）人: 北京北印東源新材料科技有限公司
• 主分類號: B32B27/36
• 分類號: B32B27/36
• 代理公司: 北京慶峰財智知識產權代理事務所(普通合伙) 11417
• 代理人: 劉元霞

技術領域

本實用新型涉及半導體包裝材料技術領域，具體涉及一種多層結構的阻隔真空膜。

背景技術

隨著塑料薄膜技術的發展，人們對薄膜材料的阻隔性能要求越來越嚴格，從而高阻隔包裝材料在軟包裝材料總量中所占比例的逐步遞增。人們開始開發不同類型的阻隔膜以滿足包裝需求，如鋁箔、EVOH五層共擠薄膜、PVDC涂層薄膜、PVA（聚乙烯醇）涂布薄膜、鍍氧化硅薄膜等。鍍氧化硅薄膜由于其綠色環保、溫濕度穩定、可視及微波蒸煮等特性，逐漸走入人們的視線。

目前氧化硅薄膜一般采用電子束蒸鍍等方法制備且從國外進口、價格昂貴，一般用于包裝的氧化硅薄膜為單層結構，而為了滿足OLED、OPV等微電子封裝的使用，一般采用有機、無機層的多層組合來實現材料的阻隔性能，但材料成本太大。

實用新型內容

本實用新型旨在提供一種通過磁增強化學氣相沉積技術(Roll-to-Roll?M-PECVD技術)在基材表面沉積至少一層無機阻隔層的多層結構的阻隔真空膜，以解決現有技術中阻隔膜采用有機、無機層的多層組合，成本高，并且阻隔性能不好的技術問題。

為了實現上述目的，根據本實用新型的一方面，提供了一種多層結構的阻隔真空膜。該阻隔真空膜包括基材層，還包括沉積于基材層一側或兩側的至少一層阻隔層，阻隔層為由無機物構成的阻隔層。

進一步地，阻隔層為1-5層。

進一步地，阻隔層為2～3層。

進一步地，當阻隔層為1層時，阻隔層上層還有一層粗糙層。

進一步地，阻隔層的厚度為5～100nm。

進一步地，阻隔層的厚度為10～50nm。

進一步地，阻隔層的厚度為10nm。

進一步地，基材層和阻隔層間還設有一接枝改性層，接枝改性層為氨基處理的接枝改進層。

進一步地，基材層的厚度為8～125μm。

進一步地，基材層的厚度為12～80μm。

本實用新型的多層結構的阻隔真空膜用于半導體或電子產品的封裝或包裝。

本實用新型的技術方案通過采用Roll-to-Roll?M-PECVD技術在基材表面沉積一層由無機物構成的阻隔層時，形成的阻隔真空膜的阻隔層上層有一層約11nm的粗糙層，其中空氣成分體積比達到30%，極大地增強了基材的阻氧性以上的阻隔層；當沉積兩層以上的阻隔層時，可以有效的延長水蒸氣在材料表面或層間透過的時間，降低水蒸氣透過率，同時提高材料的阻氧性，使內包裝物貨架壽命延長，并通過連續沉積層數的不同來調節材料所需的阻隔性能，具有更好的效果。

附圖說明

說明書附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構成本實用新型的一部分，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中：

圖1是本實用新型的多層結構的阻隔真空膜的基材層表面沉積一層阻隔層的結構示意圖；

圖2是本實用新型的多層結構的阻隔真空膜的基材層表面沉積兩層阻隔層的結構示意圖；

圖3是本實用新型的多層結構的阻隔真空膜的基材層沉積三層阻隔層的結構示意圖；

圖4是本實用新型的多層結構的阻隔真空膜的基材層兩側各沉積兩層阻隔層的結構示意圖；以及

圖5是本實用新型的多層結構的阻隔真空膜的基材層表面進過等離子體接枝處理后沉積阻隔層的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的實施例進行詳細說明，但如下實施例以及附圖僅是用以理解本實用新型，而不能限制本實用新型，本實用新型可以由權利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。

根據本實用新型方式的多層結構的阻隔真空膜，如圖1所示，包括基材層1和通過Roll-to-Roll?M-PECVD方法沉積于基材層1一側的一層阻隔層2，阻隔層為由無機物構成的阻隔層。其次，采用這種結構的阻隔真空膜，由于阻隔層為一層，表面張力約為34dyn/cm，且表面阻隔層1在以橢圓偏正儀擬合模型時，出現了很大成份的粗糙層4。

以PET（聚對苯二甲酸乙二酯）為基材層1為例，氧氣透過率由128cc/m²·day降低到3.0cc/m²·day以下，但水蒸氣阻隔性能反而變化不明顯，透過率僅僅由32.9g/m²·day降低到約20.0g/m²·day左右。如果通過在基材層1表面設置兩層或兩層以上的阻隔層2，能夠非常有效地提高氧氣和水蒸氣的阻隔性能。