[實用新型]一種TCO薄膜有效
| 申請號: | 201320849466.X | 申請日: | 2013-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN203746868U | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發明(設計)人: | 張恒生;李廷凱 | 申請(專利權)人: | 湖南共創光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人: | 馬強 |
| 地址: | 421001 湖南省衡*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tco 薄膜 | ||
1.一種TCO薄膜,其特征是,它包括下層氧化鋅接觸層、上層氧化鋅緩沖層,以及位于下層氧化鋅接觸層和上層氧化鋅緩沖層之間的TCO中間層。
2.根據權利要求1所述TCO薄膜,其特征是,所述TCO薄膜為前電極TCO薄膜,前電極TCO薄膜的上層氧化鋅緩沖層表面為U型絨面結構。
3.根據權利要求1或2所述TCO薄膜,其特征是,所述下層氧化鋅接觸層的厚度為50nm-500nm;所述TCO中間層的厚度為500nm-2400nm;所述上層氧化鋅緩沖層的厚度為50nm-500nm;所述TCO薄膜的膜層總厚度為1500nm-2500nm。
4.根據權利要求1或2所述TCO薄膜,其特征是,所述下層氧化鋅接觸層、上層氧化鋅緩沖層和TCO中間層均為摻雜有硼的氧化鋅薄膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





