[實用新型]位置檢測裝置以及使用了該位置檢測裝置的電子設備

有效

• 申請號: 201320844296.6
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN203744911U
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 笠松新;礒貝一臣
• 申請（專利權）人: 旭化成微電子株式會社
• 主分類號: G01B7/00
• 分類號: G01B7/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本實用新型涉及一種檢測物體的移動的位置檢測裝置以及使用了該位置檢測裝置的電子設備，更詳細地說，涉及一種使用了磁體和磁傳感器的位置檢測裝置以及使用了該位置檢測裝置的電子設備。

背景技術

近年來，在便攜式電話機等的市場中，存在很多搭載了具有CCD、CMOS等固體攝像元件的移動式照相機的終端，在應用于移動式照相機的光學系統中，強烈要求具有瞬時進行高精度位置檢測功能的傳感器。

另外，已知一種通過磁體、磁性體和磁傳感器來檢測物體的移動或傾斜或者移動角度的裝置。并且，作為個人計算機(包括娛樂用、仿真用的計算機)的指示設備(操縱桿、跟蹤球等)中的坐標檢測的方式，實際應用著光學式、壓敏式、可變電阻式、磁檢測式等，但是，近年來，具有易于小型化且無觸點、長壽命這種特征的磁檢測式變得強有力。

例如，專利文獻1所記載的裝置涉及一種用作個人計算機、便攜式電話機等的輸入單元的位置檢測裝置，涉及一種通過檢測由磁體的移動而引起的周圍的磁場變化來進行坐標檢測的磁檢測方式的位置檢測裝置。

另外，在照相機等攝像裝置中，已知一種使配置在光軸上的攝像元件與該攝像裝置的移動相應地進行移動從而校正圖像的抖動的攝像裝置。

在校正該抖動的攝像裝置中，例如已知如下一種結構：使用音圈電動機移動攝像元件，并且使用音圈電動機的磁體和作為磁檢測單元的霍爾傳感器來檢測攝像元件的位置。根據這樣的結構，能夠使驅動機構與位置檢測機構一體化且使裝置小型化。

例如專利文獻2所示，存在一種使用霍爾傳感器(磁傳感器對)來實施光學透鏡等的位置檢測的裝置。該專利文獻2所記載的裝置涉及一種通過在與攝像光軸正交的平面內移動攝像元件來校正抖動的攝像裝置。

專利文獻1：日本特開2004-348173號公報

專利文獻2：日本特開2010-15107號公報

實用新型內容

實用新型要解決的問題

然而，在上述專利文獻1所記載的攝像裝置中，通過手指尖按壓來達成磁體的移動，但是在便攜式電話機內移動的透鏡在很多情況下收納于保護罩內，從而難以通過手指尖按壓，因此，另外需要移動透鏡的致動器。由于存在磁體，因此考慮將該磁體共用為致動器用的方法，但是以對霍爾元件對施加的來自磁體的磁通僅為N極或者S極的方式配置磁體，因此難以將該磁體共用為致動器用磁體。

在上述專利文獻2所記載的攝像裝置中，解決了該問題，以對霍爾元件對施加N極和S極這兩極的方式配置了磁體。因此，通過配置磁體和線圈能夠共用位置檢測用磁體和致動器用磁體。

另外，上述專利文獻2所記載的位置檢測裝置是能夠應用于校正數字靜態照相機的手抖動的裝置的方式，存在應用于便攜式電話機的照相機時過大這種問題點。并且，當磁傳感器與磁體之間的距離(GAP)偏離等時，存在對輸出信號帶來影響這種問題。

因此，通過檢測相對于磁體的基準位置存在于規定的移動距離范圍內的磁體的相對位置，期望即使磁傳感器與磁體之間的距離(GAP)偏離等也不會對輸出信號帶來影響。

本實用新型是鑒于這種問題而完成的，其目的在于提供一種針對磁體與磁傳感器之間的距離的偏差抑制影響的位置檢測裝置以及使用了該位置檢測裝置的電子設備。

用于解決問題的方案

本實用新型是為了達成這種目的而完成的，第一方式所述的實用新型是一種位置檢測裝置，具備以移動自如的方式配置的磁體以及沿著該磁體的移動方向配置的至少兩個磁傳感器，根據該磁傳感器的輸出來檢測上述磁體的相對位置，該位置檢測裝置的特征在于，具備位置檢測部，該位置檢測部根據來自上述磁傳感器的一個磁傳感器的信號與來自另一個磁傳感器的信號的和信號除以來自上述一個磁傳感器的信號與來自上述另一個磁傳感器的信號的差信號而得到的結果，來檢測上述磁體的相對于上述磁體的基準位置的相對位置，上述磁體的移動范圍為從上述基準位置起±0.30mm以下的范圍。

另外，第二方式所述的實用新型的特征在于，在第一方式所述的實用新型中，上述磁體是N極和S極分布在移動方向上的磁體。

另外，第三方式所述的實用新型的特征在于，在第一或第二方式所述的實用新型中，上述磁傳感器被一體地封入到一個封裝。

另外，第四方式所述的實用新型的特征在于，在第一、第二或第三方式所述的實用新型中，上述磁傳感器不具備用于進行磁放大的磁性體芯片。

另外，第五方式所述的實用新型的特征在于，在第一至第四方式中的任一方式所述的實用新型中，上述磁傳感器是具有GaAs、InAs或InSb的III-V族化合物半導體的霍爾傳感器。