[實用新型]高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320839475.0
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN203721757U
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程志堅
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市斯邁得光電子有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 深圳市弘拓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44320
• 代理人: 彭年才

1.一種高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，其包括內(nèi)凹反射結(jié)構(gòu)以及設(shè)置于內(nèi)凹反射結(jié)構(gòu)底部的LED芯片，所述內(nèi)凹反射結(jié)構(gòu)的底部包括絕緣間隔的正電極部和負電極部，其特征在于，所述LED芯片倒裝設(shè)于內(nèi)凹反射結(jié)構(gòu)底部，所述正電極部和負電極部分別凸設(shè)有金屬合金涂層，所述LED芯片的芯片正電極和芯片負電極對應(yīng)連接于正電極部和負電極部的金屬合金涂層。

2.如權(quán)利要求1所述的高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述正電極部和負電極部通過一個絕緣條間隔，所述正電極部和負電極部的金屬合金涂層分別位于絕緣條兩邊的正電極部邊緣和負電極部邊緣。

3.如權(quán)利要求2所述的高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述內(nèi)凹反射結(jié)構(gòu)包括設(shè)于正電極部和負電極部上并環(huán)繞LED芯片的絕緣基座。

4.如權(quán)利要求3所述的高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣基座和絕緣條為一體成型結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求3所述的高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣基座為環(huán)氧樹脂模塑料基座，所述絕緣條為環(huán)氧樹脂模塑料條。

6.如權(quán)利要求1所述的高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述內(nèi)凹反射結(jié)構(gòu)的凹腔內(nèi)填充有封裝膠體，所述封裝膠體將LED芯片除芯片電極之外的全部外表面包覆。

7.如權(quán)利要求1所述的高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬合金涂層呈圓柱、圓臺或棱臺形狀。

8.如權(quán)利要求1所述的高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬合金涂層與芯片正電極、芯片負電極接觸的面包覆于芯片正電極、芯片負電極的整個外表面。

9.如權(quán)利要求2所述的高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述正電極部和負電極部對稱設(shè)置于絕緣條兩邊，所述正電極部和負電極部的金屬合金涂層對稱設(shè)置于絕緣條兩邊。

10.如權(quán)利要求1所述的高散熱性的LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LED芯片的芯片正電極和芯片負電極對應(yīng)通過焊接連接于正電極部和負電極部的金屬合金涂層。