[實用新型]一種等離子體刻蝕設備進氣裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320839171.4 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN203690266U | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 謝利華;陳特超;李健志;王萍;王玉明 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/02;H01J37/32 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113 | 代理人: | 馬強 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 等離子體 刻蝕 設備 裝置 | ||
1.一種等離子體刻蝕設備進氣裝置,包括連接等離子體刻蝕設備的等離子體源室(2)和反應腔體(6)的中空連接件(4);其特征在于,所述連接件內固定有勻氣環(huán)(1);所述勻氣環(huán)(1)上開設有缺口(9),所述缺口(9)兩側的勻氣環(huán)(1)端口與固定在連接件(4)內的三通接頭(3)的兩個端口連通;所述三通接頭(3)第三個端口與一根連通開設在所述連接件(4)上的進氣口(7)和出氣口(8)的進氣管(10)連通;所述勻氣環(huán)(1)內側壁上開設有多個噴淋孔(6)。
2.根據(jù)權利要求1所述的等離子體刻蝕設備進氣裝置,其特征在于,所述勻氣環(huán)(1)采用直徑為6~15mm的內拋光316L不銹鋼管制成,所述勻氣環(huán)(1)直徑為250mm。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的等離子體刻蝕設備進氣裝置,其特征在于,所述勻氣環(huán)(1)通過緊固件(5)與所述連接件(4)內壁固定連接。
4.根據(jù)權利要求3所述的等離子體刻蝕設備進氣裝置,其特征在于,所述多個噴淋孔(6)大小相同,各噴淋孔(6)直徑均為0.5~3mm,相鄰兩個噴淋孔的間距為1~5mm。
5.根據(jù)權利要求4所述的等離子體刻蝕設備進氣裝置,其特征在于,所述多個噴淋孔(6)均勻分布在所述勻氣環(huán)(1)內側壁上。
6.根據(jù)權利要求5所述的等離子體刻蝕設備進氣裝置,其特征在于,所述連接件(4)為法蘭。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





