[實用新型]MOSFET功率器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320838583.6
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN203871340U
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發(fā)明（設計）人: 朱超群;陳宇
• 申請（專利權）人: 寧波比亞迪半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種MOSFET功率器件，其特征在于，包括：

襯底和形成在所述襯底上的外延層；

形成在所述外延層中的多個條形的MOSFET元胞，所述多個MOSFET元胞沿第一方向相互平行，每個所述MOSFET元胞包括源區(qū)、柵結構和第一阱區(qū)，所述第一阱區(qū)位于所述源區(qū)的下方；

形成在所述外延層中的多個第二阱區(qū)，所述多個第二阱區(qū)沿第二方向相互平行且任意相鄰的兩個所述第二阱區(qū)之間的距離相等，所述第一方向與所述第二方向在與所述襯底平行的平面上相互成預設角度，所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)摻雜的類型相同，通過所述多個第二阱區(qū)連通所述多個第一阱區(qū)。

2.如權利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述第一方向與所述第二方向在與所述襯底平行的平面上相互成垂直。

3.如權利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述第二阱區(qū)的深度大于所述第一阱區(qū)的深度。

4.如權利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述多個第二阱區(qū)中相鄰兩個所述第二阱區(qū)的間隔為兩個所述柵結構之間柵中心間距的5-10倍。

5.如權利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述柵結構為溝槽型。

6.如權利要求5所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述柵結構的深度大于等于所述第一阱區(qū)的深度，并且小于等于所述第二阱區(qū)的深度。

7.如權利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述柵結構為平面型。