[實(shí)用新型]有偏置磁場(chǎng)的GMM-FBG電流檢測(cè)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320837300.6
• 申請(qǐng)日: 2013-12-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203595746U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊燕玲;李喬藝;王鵬;張偉超;劉杰;趙洪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 哈爾濱理工大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G01R19/00
• 分類(lèi)號(hào): G01R19/00
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 張宏威

1.有偏置磁場(chǎng)的GMM-FBG電流檢測(cè)裝置，其特征在于，它包括GMM-FBG部和檢測(cè)部，

所述GMM-FBG部包括由多片正方形硅鋼片疊成的硅鋼磁路部（1），所述硅鋼磁路部（1）的一條邊上具有電流傳感元件缺口和永磁材料缺口，在所述電流傳感元件缺口的兩個(gè)端面之間設(shè)置GMM棒（4），GMM棒（4）的任意一端被缺口任一端面上設(shè)置的四個(gè)導(dǎo)磁柱（2）固定；GMM棒（4）與電流傳感元件缺口的上端面之間有空隙；

GMM棒（4）的表面設(shè)置光纖光柵（3），光纖光柵（3）連接第一引線光纖（5）和第二引線光纖（6），第一引線光纖（5）和第二引線光纖（6）向缺口的相反兩個(gè)方向延伸，分別穿過(guò)硅鋼磁路部（1）后露出；

在永磁材料缺口中設(shè)置永磁體（9）；

在硅鋼磁路部（1）上與兩個(gè)缺口相對(duì)的一條邊上繞有導(dǎo)線（7），所述導(dǎo)線（7）纏繞到硅鋼磁路上，所述導(dǎo)線（7）的兩條引線端連接交流電源（8）的兩端；

所述檢測(cè)部包括耦合器（10）、ASE寬帶光源（11）、光電轉(zhuǎn)換部（12）和數(shù)據(jù)采集部（13）；ASE寬帶光源（11）輸出的光束入射至耦合器（10），耦合器（10）輸出的光束經(jīng)光纖光柵（3）反射后，由第二引線光纖（6）輸出，并返回入射至耦合器（10），耦合器（10）輸出的光束入射至光電轉(zhuǎn)換部（12），光電轉(zhuǎn)換部（12）的電信號(hào)輸出端與數(shù)據(jù)采集部（13）的電信號(hào)輸入端相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述有偏置磁場(chǎng)的GMM-FBG電流檢測(cè)裝置，其特征在于，導(dǎo)磁柱（2）采用鐵氧體材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述有偏置磁場(chǎng)的GMM-FBG電流檢測(cè)裝置，其特征在于，硅鋼磁路部（1）采用型號(hào)為W470、厚度為0.35mm的硅鋼片疊加而成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述有偏置磁場(chǎng)的GMM-FBG電流檢測(cè)裝置，其特征在于，硅鋼磁路部（1）的厚度為2cm～3cm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述有偏置磁場(chǎng)的GMM-FBG電流檢測(cè)裝置，其特征在于，GMM棒（4）與電流傳感元件缺口上端面之間的空隙為0.05mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述有偏置磁場(chǎng)的GMM-FBG電流檢測(cè)裝置，其特征在于，在導(dǎo)線（7）連接調(diào)壓器8的回路上串聯(lián)電阻R和電流表。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述有偏置磁場(chǎng)的GMM-FBG電流檢測(cè)裝置，其特征在于，永磁體（9）采用釹鐵硼材料。