[實用新型]一種高阻硅基底高頻微帶天線

有效

• 申請號: 201320830533.3
• 申請日: 2013-12-16
• 公開（公告）號: CN203660051U
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 劉曉明;陳煥暉;黎業飛;郝曉紅;謝曉梅;洪泉;鄧振雷;朱鐘淦
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q21/00;H01Q13/08
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 詹福五

1.一種高阻硅基底高頻微帶天線，包括高阻硅基底及設于基底底部的凹槽，設于基底上表面的帶簡并單元的輻射貼片及其饋線，接地片，其特征在于設于基底底部的凹槽為正四棱錐臺形凹槽；帶簡并單元的輻射貼片及其饋線緊貼于基底的上表面，其中輻射貼片正對正四棱錐臺形凹槽、接地片與高阻硅基底的底面緊固成一體，輻射貼片的中心、正四棱錐臺形凹槽的中心及接地片方孔的中心位于同一軸線上。

2.按權利要求1所述高阻硅基底高頻微帶天線，其特征在于所述正四棱錐臺形凹槽各側面的錐面角為45°—54.7°，錐面角的度數根據所采用高阻硅基底材料的晶向決定。

3.按權利要求1所述高阻硅基底高頻微帶天線，其特征在于當所述高頻微帶天線為陣列式微帶天線時，饋線的饋入端與功率分配段一并對各輻射貼片進行功率分配。