[實(shí)用新型]堿槽轉(zhuǎn)軸有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320829817.0 | 申請日: | 2013-12-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203674179U | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 施煒青;賀賢漢;張松江 | 申請(專利權(quán))人: | 上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 31203 | 代理人: | 沈履君 |
| 地址: | 200444 上海市寶*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 轉(zhuǎn)軸 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別是一種可使長參考面硅片洗凈時(shí)旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)軸設(shè)計(jì)。
背景技術(shù)
使用高濃堿性藥液清洗過程中,堿槽原有的轉(zhuǎn)軸設(shè)計(jì)無法使得參考面長度為57.5毫米的硅片順利旋轉(zhuǎn),造成轉(zhuǎn)軸與硅片外周某固定位置頻繁接觸形成外周固定位置的傷以及突起的問題。同時(shí)硅片因旋轉(zhuǎn)不暢,堿腐蝕反應(yīng)生成的H2脫離硅片表面不迅速從而導(dǎo)致腐蝕不均的問題。主要是因?yàn)閳A形轉(zhuǎn)軸半徑較大,在洗凈過程中6寸硅片會(huì)被頂起,同時(shí)由于插片高度稍短以及插片間距與參考面長度相當(dāng)?shù)纫蛩?,?dǎo)致?lián)軇?dòng)旋轉(zhuǎn)的插片無法在參考平邊及圓弧邊拐角處提供足夠的轉(zhuǎn)向力。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種以提供充分的轉(zhuǎn)向助力,使得參考面長度為57.5毫米的硅片可以順暢旋轉(zhuǎn)的堿槽轉(zhuǎn)軸。
為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型堿槽轉(zhuǎn)軸,包括:滾軸,所述滾軸的旋轉(zhuǎn)中心設(shè)置硅片盒中硅片的正下方,所述滾軸為扇形;插片,所述插片為三個(gè),三個(gè)所述插片設(shè)置在所述滾軸的圓弧與所述滾軸的半徑的兩個(gè)交點(diǎn)處及所述滾軸所在圓的圓心處;其中所述滾軸的旋轉(zhuǎn)中心離硅片下方參考面的垂直距離H為31.7毫米~32毫米;所述滾軸的旋轉(zhuǎn)中心離硅片下方參考面兩側(cè)端點(diǎn)的距離B為42.6毫米~43.2毫米;所述滾軸的旋轉(zhuǎn)中心離設(shè)置在所述滾軸所在圓的圓心上的所述插片頂端的距離L2為47.6毫米~48.2毫米。
所述滾軸的旋轉(zhuǎn)中心離所述滾軸的圓弧的距離R為33.7毫米~34.3毫米。
所述滾軸的旋轉(zhuǎn)中心離設(shè)置在所述滾軸的圓弧與所述滾軸的半徑的兩個(gè)交點(diǎn)上的所述插片頂端的距離L1為42.6毫米~43.2毫米。
本實(shí)用新型堿槽轉(zhuǎn)軸通過改變原先轉(zhuǎn)軸的形貌及尺寸,以提供充分的轉(zhuǎn)向助力,使得參考面長度為57.5毫米的硅片可以順暢的旋轉(zhuǎn)。完全利用生產(chǎn)現(xiàn)場現(xiàn)有材料進(jìn)行制作,加工周期短、成本低。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型堿槽轉(zhuǎn)軸填充件結(jié)構(gòu)示意圖;
本實(shí)用新型堿槽轉(zhuǎn)軸附圖中附圖標(biāo)記說明:
1-滾軸????2-硅片????3-參考面
4-插片
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型堿槽轉(zhuǎn)軸作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
如圖1所示,本實(shí)用新型堿槽轉(zhuǎn)軸,包括:滾軸1,滾軸1的旋轉(zhuǎn)中心設(shè)置硅片2盒中硅片2的正下方,滾軸1為扇形;插片4,插片4為三個(gè),三個(gè)插片4設(shè)置在滾軸1的圓弧與滾軸1的半徑的兩個(gè)交點(diǎn)處及滾軸1所在圓的圓心處;其中滾軸1的旋轉(zhuǎn)中心離硅片2下方參考面3的垂直距離H為31.7毫米~32毫米;滾軸1的旋轉(zhuǎn)中心離硅片2下方參考面3兩側(cè)端點(diǎn)的距離B為42.6毫米~43.2毫米;滾軸1的旋轉(zhuǎn)中心離設(shè)置在滾軸1所在圓的圓心上的插片4頂端的距離L2為47.6毫米~48.2毫米。
滾軸1的旋轉(zhuǎn)中心離滾軸1的圓弧的距離R為33.7毫米~34.3毫米。滾軸1的旋轉(zhuǎn)中心離設(shè)置在滾軸1的圓弧與滾軸1的半徑的兩個(gè)交點(diǎn)上的插片4頂端的距離L1為42.6毫米~43.2毫米。
本實(shí)用新型堿槽轉(zhuǎn)軸削去原軸部分材料,形成三角扇形式樣。在另一頂點(diǎn)處添加插片,插片高度較原插片有所提高。改造后洗凈過程中硅片不會(huì)被頂起,插片間距也大于參考面長度,同時(shí)新加一個(gè)高度略高的插片,這樣的設(shè)計(jì)可以保證在洗凈過程中撥動(dòng)旋轉(zhuǎn)的插片可在參考平邊及圓弧邊拐角處提供足夠的轉(zhuǎn)向力。
本實(shí)用新型堿槽轉(zhuǎn)軸通過改變原先轉(zhuǎn)軸的形貌及尺寸,以提供充分的轉(zhuǎn)向助力,使得參考面長度為57.5毫米的硅片可以順暢的旋轉(zhuǎn)。完全利用生產(chǎn)現(xiàn)場現(xiàn)有材料進(jìn)行制作,加工周期短、成本低。
以上已對本實(shí)用新型創(chuàng)造的較佳實(shí)施例進(jìn)行了具體說明,但本實(shí)用新型創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本實(shí)用新型創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換,這些等同的變型或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





