[實用新型]一種半導體激光器有效
| 申請號： | 201320829740.7 | 申請日： | 2013-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN203674553U | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 渭南高新區晨星專利技術咨詢有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/323 | 分類號： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 714000 陜西省*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體激光器 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體激光器，其特征在于：所述半導體激光器順序地包括以下層級：
藍寶石襯底；
厚度為40-55納米的低溫GaN緩沖層；
第一AlGaN層，第二AlGaN層，所述第一和第二AlGaN層的總厚度為2-3微米，并且所述第一AlGaN層具有高于所述第二AlGaN層的N摻雜濃度以及大于所述第二AlGaN層的厚度；
厚度為80-90納米的N型光波導層；
厚度為4-5納米的有源GaInN層；
厚度為22-25納米的P型AlGaN電子阻擋層；
厚度為80-90納米的P型光波導層；
厚度大于500納米的包覆層；以及
厚度為110-120納米的P型GaN層，所述P型GaN層具有低于所述第二AlGaN層的N摻雜濃度。
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