[實(shí)用新型]高溫條件下SHPB自動(dòng)對(duì)桿沖擊加載實(shí)驗(yàn)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320828923.7
• 申請(qǐng)日: 2013-12-13
• 公開（公告）號(hào): CN203688372U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方秦;陳力;阮征;姜錫權(quán);張錦華;張亞棟;相恒波;于瀟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)人民解放軍理工大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N3/30
• 分類號(hào): G01N3/30;G01N1/44
• 代理公司: 南京理工大學(xué)專利中心 32203
• 代理人: 吳茂杰;朱顯國(guó)

1.一種高溫條件下SHPB自動(dòng)對(duì)桿沖擊加載實(shí)驗(yàn)裝置，包括高壓氣罐（1）、入射桿（7）、透射桿（15）、用于放置入射桿（7）、透射桿（15）及試件的底座（14）和試件加熱裝置（10），其特征在于：

所述試件加熱裝置（10）與底座（14）分離設(shè)置，加熱裝置（10）與底座（14）間設(shè)有導(dǎo)引試件從加熱裝置到底座（14）的寬度可調(diào)的試件導(dǎo)軌（12），在底座（14）上與試件導(dǎo)軌（12）相對(duì)的試件的另一側(cè)設(shè)有限定試件位置的試件擋桿（20），所述底座（14）三維可調(diào)。

2.如權(quán)利要求1所述的實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于：在所述底座（14）試件固定位置的前后側(cè)各設(shè)至少一探測(cè)試件就位的光電傳感器（211、212），所述光電傳感器（211、212）通過(guò)延時(shí)繼電器（22）與控制高壓氣罐（1）氣路的電磁閥（2）相連。

3.如權(quán)利要求1所述的實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于：所述入射桿（7）遠(yuǎn)離試件一端正對(duì)與之同軸的子彈（4），所述子彈（4）設(shè)于子彈發(fā)射機(jī)構(gòu)（3）內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于：所述入射桿（7）和透射桿（15）上均貼有應(yīng)變片（61、62），所述應(yīng)變片（61、62）與數(shù)據(jù)采集處理系統(tǒng)（16）相連。

5.如權(quán)利要求1所述的實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于：還包括子彈出發(fā)接觸式開關(guān)（13），其通過(guò)固態(tài)繼電器（23）與控制高壓氣罐（1）氣路的電磁閥（2）相連，所述子彈出發(fā)接觸式開關(guān)（13）的動(dòng)觸點(diǎn)（131）設(shè)在入射桿（7）上、靜觸點(diǎn)（132）設(shè)在透射桿（15）上，入射桿（7）與透射桿（15）頂緊試件后，該動(dòng)觸點(diǎn)（131）與靜觸點(diǎn)（132）閉合。

6.如權(quán)利要求5所述的實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于：所述固態(tài)繼電器(23)采用3V電壓控制24V電壓。

7.如權(quán)利要求1至6之一所述的實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于：所述入射桿（7）中部套裝一張緊箍環(huán)（9），張緊箍環(huán)（9）與入射桿（7）間墊以橡膠薄片，張緊箍環(huán)（9）外套裝入射桿氣缸（8）。

8.如權(quán)利要求1至6之一所述的實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于：所述透射桿（15）遠(yuǎn)離試件一端設(shè)有與透射桿（15）同軸的吸收桿（17），吸收桿（17）遠(yuǎn)離透射桿（15）一端正對(duì)透射桿氣缸（19）內(nèi)的活塞（18）的輸出端。

9.如權(quán)利要求1至6之一所述的實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于：所述加熱裝置（10）為微波爐。

10.如權(quán)利要求1至6之一所述的實(shí)驗(yàn)裝置，其特征在于：所述底座（14）的試件固定位置設(shè)有耐火材料。