[實(shí)用新型]一種帶抑制涌流的無(wú)觸點(diǎn)低壓電容投切開關(guān)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320823343.9
• 申請(qǐng)日: 2013-12-10
• 公開（公告）號(hào): CN203589741U
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王元東;王武杰;劉政;王國(guó)亭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 平高集團(tuán)智能電氣有限公司
• 主分類號(hào): H02J3/18
• 分類號(hào): H02J3/18
• 代理公司: 洛陽(yáng)公信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 41120
• 代理人: 張燕

技術(shù)領(lǐng)域

????本實(shí)用新型涉及一種投切開關(guān)，具體地說(shuō)是一種帶抑制涌流的無(wú)觸點(diǎn)低壓電容投切開關(guān)。

背景技術(shù)

????目前現(xiàn)有的低壓電容器投切基本上是靠低壓交流接觸器或復(fù)合開關(guān)，在無(wú)功補(bǔ)償系統(tǒng)中主要存在如下缺點(diǎn)：

交流接觸器的缺點(diǎn)：無(wú)過(guò)零投切功能、可靠性差、壽命短、損耗大；

復(fù)合開關(guān)的缺點(diǎn)：復(fù)合開關(guān)具備過(guò)零投切功能，但響應(yīng)動(dòng)作時(shí)間慢，通常切除與投入間隔15S以上，在開關(guān)動(dòng)作瞬間會(huì)產(chǎn)生瞬間電壓或涌流，導(dǎo)致電路不穩(wěn)定。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中低壓電容器投切在無(wú)功補(bǔ)償系統(tǒng)中存在的缺陷，本實(shí)用新型提供一種帶抑制涌流的無(wú)觸點(diǎn)低壓電容投切開關(guān)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：

一種帶抑制涌流的無(wú)觸點(diǎn)低壓電容投切開關(guān)，包括殼體、設(shè)置在殼體上的外接端子及設(shè)置在殼體內(nèi)的主控電路模塊，在殼體的底部還設(shè)有限流電抗器，主控電路模塊與限流電抗器串聯(lián)連接，外接端子的進(jìn)線端子與主控電路模塊相連，出線端子與限流電抗器相連，所述的主控電路模塊包括阻容吸收電路、主回路可控硅、光電耦合電路、零電壓檢測(cè)電路、與門邏輯電路和光耦隔離放大電路，阻容吸收電路與主回路可控硅并聯(lián)，主回路可控硅兩端電壓經(jīng)電阻降壓后送至光電耦合電路，之后與零電壓檢測(cè)電路、與門邏輯電路和光耦隔離放大電路順次串聯(lián)連接；

在主控電路模塊中還設(shè)有用于給與門邏輯電路輸出指令的控制器。

本實(shí)用新型的有益效果：

本實(shí)用新型提供的無(wú)觸點(diǎn)低壓電容投切開關(guān)是帶抑制涌流的無(wú)觸點(diǎn)動(dòng)態(tài)開關(guān)，因此投入低壓電容器組可以實(shí)現(xiàn)無(wú)涌流投入，或涌流極小，另外由于可控硅的觸發(fā)次數(shù)沒(méi)有限制，并可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)投入補(bǔ)償，響應(yīng)時(shí)間在毫秒級(jí)，因此適用于低壓電容器的頻繁投切，非常適合于負(fù)荷頻繁變化的場(chǎng)合；

本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊美觀，功能上電壓過(guò)零投入準(zhǔn)確、靈敏度高，特別是配合內(nèi)置的限流電抗器使得電容投入時(shí)主回路涌流極小，減小了對(duì)可控硅的沖擊；性能上采用相關(guān)措施使得抗干擾更強(qiáng)、電壽命長(zhǎng)、可靠性高的特點(diǎn)；

本實(shí)用新型提供的帶抑制涌流的無(wú)觸點(diǎn)低壓電容投切開關(guān)，在實(shí)現(xiàn)過(guò)零投切的基礎(chǔ)上增加了限流電抗器，使之結(jié)構(gòu)上一體化，進(jìn)一步提高了限制投入涌流的可靠性；運(yùn)行中對(duì)電網(wǎng)沒(méi)有沖擊，或沖擊極小，并可快速響應(yīng)實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)投切，廣泛用于低壓0.4kV系統(tǒng)容性負(fù)載的通斷控制，濾波組件的快速頻繁投切等，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，具有工作時(shí)無(wú)沖擊涌流、無(wú)過(guò)壓、無(wú)噪音、響應(yīng)時(shí)間小（小于20ms）的特點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1?本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

????圖2?本實(shí)用新型觸發(fā)原理框圖；

????圖3?本實(shí)用新型主回路接線圖；

????圖4?控制芯片MOC3083工作原理示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的闡述。

如圖1、圖2所示：一種帶抑制涌流的無(wú)觸點(diǎn)低壓電容投切開關(guān)，包括殼體1、設(shè)置在殼體1上的外接端子及設(shè)置在殼體1內(nèi)的主控電路模塊，在殼體1的底部還設(shè)有限流電抗器2，主控電路模塊與限流電抗器2串聯(lián)連接，外接端子的進(jìn)線端子3與主控電路模塊相連，出線端子4與限流電抗器2相連，所述的主控電路模塊包括阻容吸收電路、主回路可控硅、光電耦合電路、零電壓檢測(cè)電路、與門邏輯電路和光耦隔離放大電路，阻容吸收電路與主回路可控硅并聯(lián)，主回路可控硅兩端電壓經(jīng)電阻降壓后送至光電耦合電路，之后與零電壓檢測(cè)電路、與門邏輯電路和光耦隔離放大電路順次串聯(lián)連接；在主控電路模塊中還設(shè)有用于給與門邏輯電路輸出指令的控制器；所述殼體1上設(shè)有固定支架5。

阻容吸收電路：主回路可控硅一個(gè)重要特性參數(shù)是斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt，它表明可控硅在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使可控硅從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率；若電壓上升率過(guò)大，超過(guò)了可控硅的電壓上升率的值，則會(huì)在無(wú)門極信號(hào)的情況下開通；為了限制電路電壓上升率過(guò)大，確保可控安全運(yùn)行，常在可控硅兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)限制電壓上升率，它可以防止R、L、C電路在過(guò)渡過(guò)程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過(guò)電壓損壞可控硅；同時(shí)，避免電容器通過(guò)可控硅放電電流過(guò)大，造成過(guò)電流而損壞可控硅；由于可控硅過(guò)流過(guò)壓能力很差，如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的，RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)就是常用的保護(hù)方法之一；

主回路可控硅：根據(jù)相應(yīng)的條件接通或者斷開主回路；