[實用新型]一種柔性襯底卷對卷鍍膜退火裝置有效
| 申請號: | 201320813598.7 | 申請日: | 2013-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN203644810U | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 張瀚銘;喬在祥;趙彥民;王赫;申緒男 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十八研究所 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人: | 李鳳 |
| 地址: | 300384 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 襯底 鍍膜 退火 裝置 | ||
技術領域
本實用新型屬于薄膜太陽電池制作過程技術領域,特別是涉及一種柔性襯底卷對卷鍍膜退火裝置。
背景技術
目前,柔性襯底太陽能電池因為其工藝先進,成本低廉且易于彎曲而用途廣泛,可用于汽車頂部、太陽能敞篷、太陽能飛機及房屋屋頂及外墻。在大規模卷對卷柔性襯底上采用磁控濺射工藝廣泛應用于太陽能電池窗口層等生產領域。而不同氣氛下對膜層采取后退火工藝可以顯著改善薄膜的各項性能。
目前公知的用于柔性襯底的卷對卷磁控濺射多采用真空室內通過磁控濺射等方法在柔性基材表面制備一層或者多層具有一定功能的薄膜的技術,例如,CIGS電池的吸收層,緩沖層,窗口層等均可用此方法進行制備。雖然可以不間斷連續制備功能薄膜,但其不足之處在于濺射設備不具備后退火工藝或后退火工藝設計簡單,無法在濺射工藝完成后連續的進行不同氣氛下的后退火工藝,薄膜性能均勻性受到影響,生產效率無法提高。
發明內容
本實用新型為解決公知技術中存在的技術問題而提供一種生產效率高、制作薄膜電池的材料性能和均勻性好、制作簡單、成本低的一種柔性襯底卷對卷鍍膜退火裝置。
本實用新型包括如下技術方案:其特點是:
一種柔性襯底卷對卷鍍膜退火裝置,包括真空腔室,所述真空腔室被擋板自左至右依次分割有送卷室、放置第一濺射靶的第一濺射室、放置第二濺射靶的第二濺射室和收卷室;所述送卷室和收卷室內各放置有帶動柔性襯底移動的滾軸,送卷室內的滾軸包括放卷輥、張力輥和導向輥,收卷室內的滾軸包括收卷輥、張力輥和導向輥,其特點是:所述第二濺射室和收卷室之間用擋板還分割有退火室,退火室中有加熱背板;每一擋板上均置有通過柔性襯底的氣體隔離器。
本實用新型還可以采用如下技術措施:
所述第一濺射室、第二濺射室和退火室的頂壁上均通有真空計和帶氣體流量計的送氣管。
所述加熱背板為纏有電阻絲的不銹鋼板。
所述柔性襯底材料為金屬箔或聚酰亞胺。
本實用新型具有的優點和積極效果:
1、本實用新型通過在第二濺射室和收卷室之間用擋板分割出一退火室,當柔性襯底進行卷對卷連續鍍膜的同時,也完成了鍍膜后柔性襯底的退火處理,并且柔性襯底在退火時為單片退火,相對于整卷柔性襯底退火,不僅提高了薄膜電池制作的材料性能,而且大大提高了生產效率,并且制作過程簡單,生產維護成本低。
2、本實用新型將退火系統單獨隔離成一個獨立的退火室,通過氣體隔離器對退火室單獨通入N2作為退火氣體,使得鍍膜的柔性襯底氣氛和退火的柔性襯底氣氛各自獨立,進一步提高了薄膜電池制作的材料性能。
附圖說明
圖1是本實用新型柔性襯底卷對卷鍍膜退火裝置示意圖。
圖中,1-腔室,2-送卷室,3-張力輥,4-放卷輥,5-導向輥,6-氣體隔離器,7-送氣管,8-氣體流量計,9-真空計,10-擋板,11-第一濺射室,12-第一濺射靶,13-第二濺射室,14-柔性襯底,15-第二濺射靶,16-退火室,17-加熱背板,18-收卷室,19-收卷輥。
具體實施方式
為能進一步公開本實用新型的發明內容、特點及功效,特例舉以下實例并結合附圖進行詳細說明如下:
一種柔性襯底卷對卷鍍膜退火裝置,包括真空腔室,所述真空腔室被擋板自左至右依次分割有送卷室、放置第一濺射靶的第一濺射室、放置第二濺射靶的第二濺射室和收卷室;所述送卷室和收卷室內各放置有帶動柔性襯底移動的滾軸,送卷室內的滾軸包括放卷輥、張力輥和導向輥,收卷室內的滾軸包括收卷輥、張力輥和導向輥,其特點是:所述第二濺射室和收卷室之間用擋板還分割有退火室,退火室中有加熱背板;每一擋板上均置有通過柔性襯底的氣體隔離器。
本實用新型還可以采用如下技術措施:
所述第一濺射室、第二濺射室和退火室的頂壁上均通有真空計和帶氣體流量計的送氣管。
所述加熱背板為纏有電阻絲的不銹鋼板。
所述柔性襯底材料為金屬箔或聚酰亞胺。
本實用新型的制作和工作過程:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





