[實用新型]一種振蕩器電路

有效

• 申請號: 201320811722.6
• 申請日: 2013-12-05
• 公開（公告）號: CN203590179U
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 王文建
• 申請（專利權）人: 浙江商業職業技術學院
• 主分類號: H03K3/02
• 分類號: H03K3/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及集成電路技術，尤其涉及到振蕩器電路。

背景技術

在開關電源集成電路中，振蕩器電路是必不可少的，其特性和精度是對整個環路都有很大的影響。

發明內容

本實用新型旨在解決現有技術的不足，提供一種能輸出高精度振蕩信號的振蕩器電路。

振蕩器電路，包括分壓電路、偏置電路、充放電電路和電壓比較電路：

所述分壓電路是對基準電壓進行分壓作為所述偏置電路和所述比較電路的參考電壓；

所述偏置電路是提供給所述充放電電路的充放電電流；

所述電容充放電電路是對充放電電容進行充放電；

所述電壓比較電路是對所述充放電電路的電容上的電壓進行比較產生出振蕩信號。

所述分壓電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻：

所述第一電阻的一端接基準電壓VREF，另一端接所述第二電阻的一端和所述電壓比較電路；

所述第二電阻的一端接所述第一電阻和所述電壓比較電路，另一端接所述第三電阻和所述電壓比較電路；

所述第三電阻的一端接所述第二電阻的一端和所述電壓比較電路，另一端接所述第四電阻的一端和所述偏置電路；

所述第四電阻的一端接所述第三電阻的一端和所述偏置電路，另一端接地。

所述偏置電路包括第一運放、第一PMOS管、第一NMOS管和第五電阻：

所述第一運放的正端接所述第三電阻的一端和所述第四電阻的一端，負端接所述第一NMOS管的源極和所述第五電阻的一端，輸出端接所述第一NMOS管的柵極；

所述第一PMOS管的柵極接漏極和所述充放電電路，源極接電源；

所述第一NMOS管的柵極接所述第一運放的輸出端，漏極接所述第一PMOS管的柵極和漏極，源極接所述第一運放的負端和所述第五電阻的一端；

所述第五電阻的一端接所述第一運放的負端和所述第一NMOS管的源極，另一端接地。

所述充放電電路包括第二PMOS管、第一電容和第二NMOS管：

所述第二PMOS管的柵極接所述第一PMOS管的柵極和漏極和所述第一NMOS管的漏極，漏極接所述電壓比較電路和所述第一電容和所述第二NMOS管的漏極，源極接電源；

所述第一電容的一端接所述第二PMOS管的漏極和所述電壓比較電路和所述第二NMOS管的漏極，另一端接地；

所述第二NMOS管的柵極接所述電壓比較電路的輸出，漏極接所述第二PMOS管的漏極和所述第一電容的一端，源極接地。

所述電壓比較電路包括第一比較器、第二比較器和第一RS觸發器：

所述第一比較器的正端接所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端，負端接所述第二比較器的正端和所述第二PMOS管的漏極和所述第一電容的一端和所述第二NMOS管的漏極，輸出端接所述第一RS觸發器的S端；

所述第二比較器的正端接所述第一比較器的負端和所述第二PMOS管的漏極和所述第一電容的一端和所述第二NMOS管的漏極，負端接所述第二電阻的一端和所述第三電阻的一端，輸出端接所述第一RS觸發器的R端；

所述第一RS觸發器的S端接所述第一比較器的輸出端，R端接所述第二比較器的輸出端，Q端接所述第二NMOS管的柵極。

利用本實用新型提供的振蕩器電路能輸出高精度的振蕩信號。

附圖說明

圖1為本實用新型的振蕩器電路的電路圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型內容進一步說明。

振蕩器電路，如圖1所示，包括分壓電路100、偏置電路200、充放電電路300和電壓比較電路400：

所述分壓電路100是對基準電壓進行分壓作為所述偏置電路200和所述比較電路400的參考電壓；

所述偏置電路200是提供給所述充放電電路300的充放電電流；

所述電容充放電電路300是對充放電電容進行充放電；

所述電壓比較電路400是對所述充放電電路300的電容上的電壓進行比較產生出振蕩信號。

所述分壓電路100包括第一電阻101、第二電阻102、第三電阻103和第四電阻104：

所述第一電阻101的一端接基準電壓VREF，另一端接所述第二電阻102的一端和所述電壓比較電路400；

所述第二電阻102的一端接所述第一電阻101和所述電壓比較電路400，另一端接所述第三電阻103和所述電壓比較電路400；