[實用新型]存儲器器件

有效

• 申請號: 201320811059.X
• 申請日: 2013-12-09
• 公開（公告）號: CN203746854U
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: P·卡雷;S·阿萊格雷-馬雷;N·勞貝特;柳青;H·賈根納森;L·埃奇;K·程;B·多麗絲
• 申請（專利權）人: 意法半導體公司;國際商業機器公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種存儲器器件，其特征在于，包括：?

半導體襯底；以及?

至少一個存儲器晶體管，在所述半導體襯底中并且包括：?

在所述半導體襯底中的源極區域和漏極區域以及在所述源極區域和所述漏極區域之間的溝道區域，以及?

柵極堆疊，包括在所述溝道區域之上的第一電介質層、在所述第一電介質層之上的第一擴散阻擋層、在所述第一擴散阻擋層之上的第一導電層、在所述第一導電層之上的第二電介質層、在所述第二電介質層之上的第二擴散阻擋層和在所述第二擴散阻擋層之上的第二導電層；?

所述第一電介質層和所述第二電介質層包括不同電介質材料，并且所述第一擴散阻擋層比所述第二擴散阻擋層更薄。?

2.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述第一電介質層包括HfSiON。?

3.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述第二電介質層包括鑭。?

4.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述第一擴散阻擋層和所述第二擴散阻擋層各自包括氮化鈦。?

5.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述第一導電層包括鋁。?

6.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，所述第二導電層包括多晶硅。?

7.根據權利要求1所述的存儲器器件，其特征在于，還包括在所述半導體襯底中并且與所述至少一個存儲器晶體管相鄰的第一晶體管和第二晶體管。?

8.根據權利要求7所述的存儲器器件，其特征在于，所述第一晶體管包括：?

在所述半導體襯底中的源極區域和漏極區域以及在該源極區域和漏極區域之間的溝道區域；以及?

柵極堆疊，包括在所述溝道區域之上的第一電介質層、在所述第一電介質層之上的第二電介質層、在所述第二電介質層之上的第一擴散阻擋層和在所述第一擴散阻擋層之上的第一導電層。?

9.根據權利要求8所述的存儲器器件，其特征在于，所述第二晶體管包括：?

在所述半導體襯底中的源極區域和漏極區域以及在該源極區域和漏極區域之間的溝道區域；以及?

柵極堆疊，包括在所述溝道區域之上的第一電介質層、在所述第一電介質層之上的第一擴散阻擋層、在所述第一擴散阻擋層之上的第一導電層、在所述第一導電層之上的第二擴散阻擋層、在所述第二擴散阻擋層之上的第二電介質層、在所述第二電介質層之上的第三擴散阻擋層和在所述第三擴散阻擋層之上的第二導電層。?

10.一種存儲器器件，其特征在于，包括：?

半導體襯底；以及?

至少一個存儲器晶體管，在所述半導體襯底中并且包括：?

在所述半導體襯底中的源極區域和漏極區域以及在所述源極區域和所述漏極區域之間的溝道區域，以及?

柵極堆疊，包括在所述溝道區域之上的第一電介質層、在所述第一電介質層之上的第一擴散阻擋層、在所述第一擴散阻擋層之上的第一導電層、在所述第一導電層之上的第二電介質層、在所述第二電介質層之上的第二擴散阻擋層和在所述第二擴散阻擋層之上的第二導電層；?

所述第一電介質層和所述第二電介質層包括不同電介質材料，并且所述第一擴散阻擋層比所述第二擴散阻擋層更薄，所述第二電介質層包括鑭，所述第一導電層包括鋁。?

11.根據權利要求10所述的存儲器器件，其特征在于，所述第一電介質層包括HfSiON。?

12.根據權利要求10所述的存儲器器件，其特征在于，所述第一擴散阻擋層和所述第二擴散阻擋層各自包括氮化鈦。?

13.根據權利要求10所述的存儲器器件，其特征在于，所述第二導電層包括多晶硅。?

14.根據權利要求10所述的存儲器器件，其特征在于，還包括在所述半導體襯底中并且與所述至少一個存儲器晶體管相鄰的第一晶體管和第二晶體管。?