[實(shí)用新型]研磨墊調(diào)整器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320805343.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203622204U | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | B24B53/017 | 分類號(hào): | B24B53/017 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 研磨 調(diào)整器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種研磨墊調(diào)整器。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體制造工藝中,在填充銅層等薄膜之后,通常需要對(duì)其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)處理,研磨去除一部分薄膜,或者將薄膜的表面進(jìn)行平坦化。
請(qǐng)參考圖1,圖1為化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備的結(jié)構(gòu)俯視圖,所述化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備包括研磨墊10,與所述研磨墊10表面緊貼的研磨頭20以及與所述研磨墊10表面緊貼的研磨墊調(diào)整器30,其中,晶圓固定在所述研磨頭20上,并且將待研磨的面朝下,與所述研磨墊10的表面緊貼,所述研磨頭20和所述研磨墊10均進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng),所述研磨墊調(diào)整器30也能夠轉(zhuǎn)動(dòng),用于對(duì)所述研磨墊10的表面進(jìn)行修整,并且將涂覆在所述研磨墊10表面的研磨液涂抹均勻,以方便對(duì)所述晶圓進(jìn)行研磨。
請(qǐng)參考圖2,圖2為所述研磨墊調(diào)整器30的結(jié)構(gòu)示意圖,所述研磨墊調(diào)整器30包括襯底31,位于襯底31上的多顆調(diào)整顆粒33以及將調(diào)整顆粒33固定在所述襯底31表面的連接物32,其中,所述調(diào)整顆粒33可以均勻的排列在所述襯底31的表面,所述調(diào)整顆粒33用于調(diào)整所述研磨墊10的表面,并且將所述研磨液涂抹均勻。
然而,由于所述研磨墊調(diào)整器30的外圈線速度大于內(nèi)圈的線速度,所述研磨墊調(diào)整器30對(duì)所述研磨墊10的調(diào)整過程中,研磨墊調(diào)整器30外圈的調(diào)整顆粒對(duì)所述研磨墊10的摩擦較為嚴(yán)重,會(huì)造成所述研磨墊10的表面對(duì)所述晶圓的研磨速度不同,而且,由于外圈的調(diào)整顆粒33受到的摩擦力較大,外圈的調(diào)整顆粒33較為容易脫落,脫落的調(diào)整顆粒33殘留在所述研磨墊10的表面,會(huì)對(duì)正在進(jìn)行研磨的晶圓造成刮傷等缺陷。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種研磨墊調(diào)整器,能夠減少研磨墊調(diào)整器外圈對(duì)研磨墊的摩擦程度,降低外圈調(diào)整顆粒脫落的幾率。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提出了一種研磨墊調(diào)整器,用于對(duì)研磨墊進(jìn)行修整,所述研磨墊調(diào)整器包括襯底、位于襯底表面的多個(gè)調(diào)整顆粒以及用于將所述調(diào)整顆粒固定在所述襯底表面的連接物,其中,所述襯底的邊緣設(shè)有凹陷區(qū)。
進(jìn)一步的,所述凹陷區(qū)為圓環(huán)區(qū)。
進(jìn)一步的,所述凹陷區(qū)的凹陷深度范圍是0.5mm~1mm。
進(jìn)一步的,所述凹陷區(qū)的凹陷寬度范圍是0.5mm~8mm。
進(jìn)一步的,所述調(diào)整顆粒的總個(gè)數(shù)為1~1000個(gè)。
進(jìn)一步的,位于所述凹陷區(qū)的調(diào)整顆粒的個(gè)數(shù)為1~100個(gè)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果主要體現(xiàn)在:使用襯底邊緣設(shè)有凹陷區(qū)的研磨墊調(diào)整器,由于所述襯底邊緣存在凹陷區(qū),位于所述凹陷區(qū)的調(diào)整顆粒位置較低,與研磨墊的接觸面較少,能夠抵消襯底邊緣線速度過大而造成與研磨墊的過度摩擦,同時(shí)還能降低襯底邊緣調(diào)整顆粒脫落的幾率,避免對(duì)待研磨晶圓造成刮傷。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備的結(jié)構(gòu)俯視圖;
圖2為現(xiàn)有技術(shù)中研磨墊調(diào)整器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例中研磨墊調(diào)整器的結(jié)構(gòu)剖面示意圖;
圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例中研磨墊調(diào)整器的主視圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型的研磨墊調(diào)整器進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型,而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此,下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道,而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
為了清楚,不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中,不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu),因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中,必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo),例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制,由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外,應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的,但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
請(qǐng)參考圖3,在本實(shí)施例中,提出了一種研磨墊調(diào)整器,用于對(duì)研磨墊進(jìn)行修整,所述研磨墊調(diào)整器包括襯底110、位于襯底110表面的多個(gè)調(diào)整顆粒130以及用于將所述調(diào)整顆粒130固定在所述襯底110表面的連接物120,其中,所述襯底110的邊緣設(shè)有凹陷區(qū)。
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