[實(shí)用新型]多軸電容式加速度計(jì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320805308.4 | 申請日: | 2013-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN203630155U | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪建平;鄧登峰 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G01P15/125 | 分類號: | G01P15/125 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 310012*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電容 加速度計(jì) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種探測加速度的微機(jī)電結(jié)構(gòu),尤其涉及一種多軸電容式加速度計(jì)。
背景技術(shù)
采用表面工藝制作的微機(jī)電(Micro-Electro-Mechanic?System,簡稱MEMS)慣性傳感器是以硅片為基體,通過多次薄膜淀積和圖形加工制備的三維微機(jī)械結(jié)構(gòu)。常用的薄膜層材料包括:多晶硅、氮化硅、二氧化硅和金屬。典型的工藝步驟包括:基片準(zhǔn)備,一次氧化形成絕緣層,淀積第一層多晶硅,刻蝕多晶硅形成電極和互連線,二次氧化形成犧牲層,氧化層刻蝕形成通孔,淀積第二層多晶硅,淀積金屬層,刻蝕金屬層形成互連線,刻蝕第二層多晶硅形成機(jī)械結(jié)構(gòu)圖形,最后去除犧牲層形成可動結(jié)構(gòu)單元。
加速度計(jì),即加速度感應(yīng)器,是一種能夠測量加速力的電子設(shè)備,是微機(jī)電(MEMS)慣性傳感器常用器件之一。加速度感應(yīng)器主要應(yīng)用在位置感應(yīng)、位移感應(yīng)或者運(yùn)動狀態(tài)感應(yīng)等。如,在手機(jī)上使用加速度感應(yīng)器,就可以探測到手機(jī)的放置狀態(tài),是平放還是傾斜等,根據(jù)狀態(tài)啟動不同的程序以達(dá)到某種效果,再如,可應(yīng)用到筆記本電腦上,來探測筆記本的移動狀況,并根據(jù)這些數(shù)據(jù),系統(tǒng)會智能地選擇關(guān)閉硬盤還是讓其繼續(xù)運(yùn)行,這樣可以最大程度的保護(hù)由于振動,比如顛簸的工作環(huán)境,或者不小心摔了電腦所造成的硬盤損害,最大程度的保護(hù)里面的數(shù)據(jù)。另外一個用途就是目前使用的數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)中也采用加速度傳感器,用于檢測拍攝時候的手部的振動,并根據(jù)這些振動自動調(diào)節(jié)相機(jī)的聚焦。
加速度計(jì)主要包括雙軸加速度計(jì)和三軸加速度計(jì)。雙軸加速度計(jì)檢測X軸和Y軸方向的加速度值。三軸加速度計(jì)檢測X軸、Y軸和Z軸三個方向的加速度值,其中,X軸和Y軸加速度計(jì)用于檢測作用在與主平面平行的兩個相互正交方向上的加速度,Z軸加速度計(jì)用于檢測作用在與主平面垂直方向上的加速度。通常,加速度計(jì)主要由可動質(zhì)量塊、固定錨點(diǎn)、彈性結(jié)構(gòu)和固定電極等組成。其中,彈性結(jié)構(gòu)一端與固定錨點(diǎn)相連,另一端與可動質(zhì)量塊相連,固定電極與可動質(zhì)量塊之間形成可變電容。當(dāng)外部加速度作用在可動質(zhì)量塊上時形成慣性力,該慣性力對可動質(zhì)量塊形成位移量,電容式加速度計(jì)通過感應(yīng)固定電極與可動質(zhì)量塊之間的電容變化來檢測位移變化量,從而確定外部加速度。
多軸電容式加速度計(jì)的主要指標(biāo)有:靈敏度、線性度、溫度漂移以及抗沖擊能力。然而,實(shí)踐中發(fā)現(xiàn),目前的多軸電容式加速度計(jì)的溫度漂移以及抗沖擊能力性能仍不能滿足要求。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于,提供一種具有較強(qiáng)的應(yīng)力釋放能力和較小溫度漂移的多軸電容式加速度計(jì)。
為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供一種多軸電容式加速度計(jì),包括基底以及XY軸結(jié)構(gòu)層,所述XY軸結(jié)構(gòu)層包括可動質(zhì)量塊、中心錨點(diǎn)、彈性結(jié)構(gòu)以及多個檢測電極,所述多個檢測電極用于檢測X方向和Y方向的加速度,所述可動質(zhì)量塊與中心錨點(diǎn)以及彈性結(jié)構(gòu)相連,所述多軸電容式加速度計(jì)還包括分別位于XY軸結(jié)構(gòu)層兩側(cè)的兩個Z軸結(jié)構(gòu)層。
可選的,在所述的多軸電容式加速度計(jì)中,每個所述Z軸結(jié)構(gòu)層均包括可動質(zhì)量塊、固定錨點(diǎn)、彈性結(jié)構(gòu)以及兩個固定電極,所述兩個固定電極固定于所述基底的表面上,所述彈性結(jié)構(gòu)與所述固定錨點(diǎn)和可動質(zhì)量塊相連。
可選的,在所述的多軸電容式加速度計(jì)中,每個所述Z軸結(jié)構(gòu)層的兩個固定電極的結(jié)構(gòu)相同且關(guān)于所述Z軸結(jié)構(gòu)層的彈性結(jié)構(gòu)對稱。
可選的,在所述的多軸電容式加速度計(jì)中,每個所述Z軸結(jié)構(gòu)層的可動質(zhì)量塊的質(zhì)心不在所述Z軸結(jié)構(gòu)層的彈性結(jié)構(gòu)上。
可選的,在所述的多軸電容式加速度計(jì)中,其中一個Z軸結(jié)構(gòu)層的彈性結(jié)構(gòu)左側(cè)的可動質(zhì)量塊的質(zhì)量與另一個Z軸結(jié)構(gòu)層的彈性結(jié)構(gòu)左側(cè)的可動質(zhì)量塊的質(zhì)量相同,所述其中一個Z軸結(jié)構(gòu)層的彈性結(jié)構(gòu)右側(cè)的可動質(zhì)量塊的質(zhì)量與所述另一個Z軸結(jié)構(gòu)層的彈性結(jié)構(gòu)右側(cè)的可動質(zhì)量塊的質(zhì)量相同。
可選的,在所述的多軸電容式加速度計(jì)中,其中一個Z軸結(jié)構(gòu)層中遠(yuǎn)離中心錨點(diǎn)的固定電極與另一個Z軸結(jié)構(gòu)層中靠近中心錨點(diǎn)的固定電極電學(xué)連接,所述其中一個Z軸結(jié)構(gòu)層中靠近中心錨點(diǎn)的固定電極與另一個Z軸結(jié)構(gòu)層中遠(yuǎn)離中心錨點(diǎn)的固定電極電學(xué)連接。
可選的,在所述的多軸電容式加速度計(jì)中,所述Z軸結(jié)構(gòu)層的可動質(zhì)量塊、固定錨點(diǎn)以及彈性結(jié)構(gòu)是通過蝕刻和熏蒸工藝一體成形的結(jié)構(gòu),所述Z軸結(jié)構(gòu)層的可動質(zhì)量塊、固定錨點(diǎn)以及彈性結(jié)構(gòu)與所述XY軸結(jié)構(gòu)層的可動質(zhì)量塊、中心錨點(diǎn)、彈性結(jié)構(gòu)以及檢測電極一同利用第二層多晶硅形成。
可選的,在所述的多軸電容式加速度計(jì)中,所述多軸電容式加速度計(jì)還包括形成于所述基底上的布線,所述Z軸結(jié)構(gòu)層的固定電極與所述基底上的布線利用第一層多晶硅形成。
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