[實(shí)用新型]成像裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320804425.9
• 申請日: 2013-12-09
• 公開（公告）號: CN203801011U
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵澤旭;陳碧;徐辰;楊小龍
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇思特威電子科技有限公司
• 主分類號: H04N5/374
• 分類號: H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378;H01L27/146
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 孟銳

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及成像領(lǐng)域，特別地涉及一種鏡像像素成像裝置。?

背景技術(shù)

隨著圖像傳感器在移動(dòng)裝置上的廣泛應(yīng)用，對于鏡頭尺寸的要求越來越高。例如，很多情況下要求鏡頭尺寸僅為1/3.2英寸或1/4英寸。而對于圖像質(zhì)量的要求也一直不斷地提高。因此，圖像傳感器的分辨率也越來越大。為了達(dá)到高分辨率，就要采用面積更小的像素設(shè)計(jì)。然而，在像素小型化的過程中會遇到各種各樣的技術(shù)問題。其中，如何在感光面積減小的情況下提高低光照感度是其中一個(gè)最重要的問題。?

目前，在FSI工藝下最小的像素為1.75微米。如果像素繼續(xù)減小就無法滿足最低的低光照感度要求。雖然采用BSI工藝可以將像素減小為1.4微米，但是，BSI工藝流程復(fù)雜，不但增加了成本，而且成品率低也是一個(gè)重要的制約因素。因此，BSI工藝的應(yīng)用只局限在高端的5百萬或是8百萬像素的圖像傳感器中。對于中小分辨率的圖像傳感器，因?yàn)槠涑杀疽蛩仄饹Q定性的作用，基本不會考慮采用BSI工藝。因此，現(xiàn)有技術(shù)中一直存在著一個(gè)急需解決的問題：如何在FSI工藝條件下將像素的小型化而不會導(dǎo)致大幅度的成本增加。?

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提出一種成像裝置，包括：第一組像素，其中所述第一組像素共享第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；以及第二組像素，其中所述第二組像素共享第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；其中，所述第一組像素中的第一像素和所述第二組像素中的第二像素經(jīng)控制分別向所述第一浮?動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域和第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域轉(zhuǎn)移電荷。?

如上所述的成像裝置，其中所述第一組像素共享第一重置晶體管和第一輸出晶體管；所述第二組像素共享第二重置晶體管和第二輸出晶體管。?

如上所述的成像裝置，其中所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域經(jīng)過第一輸出晶體管連接到第一列輸出線；所述第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域經(jīng)過第二輸出晶體管連接到第二列輸出線。?

如上所述的成像裝置，其中所述第一像素和所述第二像素經(jīng)控制同時(shí)向所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域和第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域轉(zhuǎn)移電荷。?

如上所述的成像裝置，其中所述第一組像素中的第三像素和所述第二組像素中第四像素經(jīng)控制同時(shí)向所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域和第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域轉(zhuǎn)移電荷。?

如上所述的成像裝置，其中所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素和所述第四像素的顏色分別為R、Gr、Gb和B。?

如上所述的成像裝置，其中相同顏色像素的輸出值輸出到同一列讀出電路。?

如上所述的成像裝置，進(jìn)一步包括第一多選開關(guān)，其連接到所述第一和第二列輸出線，使得相同顏色像素的輸出值輸出到同一列讀出電路。?

如上所述的成像裝置，其中所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域和第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域經(jīng)控制同時(shí)向所述第一和第二列輸出線輸出。?

如上所述的成像裝置，其中所述第一多選開關(guān)對第一和第二列輸出線進(jìn)行時(shí)間分隔，以共用同一列讀出電路。?

如上所述的成像裝置，進(jìn)一步包括第二多選開關(guān)，所述第二多選開關(guān)連接到所述第一和第二列輸出線，所述第一和第二多選開關(guān)經(jīng)控制使得相同顏色像素的輸出值輸出到同一列讀出電路。?

如上所述的成像裝置，其中所述第一組像素中的每一個(gè)像素都具有各自的?感光區(qū)域和轉(zhuǎn)移晶體管；所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域位于所述第一組像素中的各個(gè)像素的各自的感光區(qū)域之間，并與所述第一組像素中的各個(gè)像素的轉(zhuǎn)移晶體管相連。?

如上所述的成像裝置，其中用于形成所述第一和第二重置晶體管的柵極和有源區(qū)域位于所述第一和第二組像素中各個(gè)像素的感光區(qū)域之間橫向或縱向排列。?

如上所述的成像裝置，其中用于形成所述第一和第二輸出晶體管的柵極和有源區(qū)域位于所述第一和第二組像素中各個(gè)像素的感光區(qū)域之間橫向或縱向排列。?

根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，提出一種成像方法，包括：重置第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域和第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域，其中第一組像素共享所述第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域，第二組像素共享所述第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；將所述第一組像素中的第一像素的電荷轉(zhuǎn)移到第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域，并且將第二組像素中的第二像素的電荷轉(zhuǎn)移到第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域；對第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域采樣，并將采樣后的電壓輸出到第一輸出線；以及對第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)域采樣，并將采樣后的電壓輸出到第二輸出線。?