[實用新型]清洗裝置

有效

• 申請號: 201320804360.8
• 申請日: 2013-12-09
• 公開（公告）號: CN203631506U
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 彭利;詹揚
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;B08B3/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體制造領域，尤其涉及一種清洗裝置。

背景技術

在半導體制造領域中，通常會在晶圓形成一層薄膜之后對其進行清洗，以去除殘留在晶圓表面的顆粒（Particle），減少缺陷（Defect）的形成，提高晶圓的良率。

對晶圓進行清洗的機臺稱為清洗機臺（Scrubber?tool），清洗機臺是利用等離子水對晶圓的表面進行沖洗，其清洗主要分為三種清洗方式：噴濺、刷子以及噴霧。最常用的為噴霧式（Spray）。噴霧式是采用氮氣通過虹吸現象將等離子水高速帶出，形成高壓水霧噴向晶圓的表面，以去除晶圓表面的顆粒。按照顆粒大小的不同設置不同的氮氣以及等離子水的流量。

請參考圖1，圖1為現有技術中清洗裝置結構示意圖，所述清洗裝置位于清洗機臺內部，包括混合單元10、氮氣管路11、等離子水管路12、混合管路13以及噴頭20，其中，所述氮氣管路11、等離子水管路12以及混合管路13均與所述混合單元10相連，所述噴頭20與所述混合管路13相連。在進行清洗時，晶圓30位于所述噴頭20的下方，氮氣由所述氮氣管路11提供，等離子水由所述等離子水管路12提供，所述氮氣與等離子水在所述混合單元10中混合之后再進入所述混合管路13，由所述噴頭20噴出高壓水霧21至晶圓30的表面，以去除顆粒。

然而，在實際應用中，發現在某些工藝進行清洗之后，晶圓30的中心位置的鋁盤表面存在損傷，從損傷的外形來判斷屬于被靜電擊穿所致。因此，清洗工藝便成為高度懷疑的對象。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種清洗裝置，能夠減少靜電的產生，避免靜電對晶圓造成損傷。

為了實現上述目的，本實用新型提出了一種清洗裝置，用于對晶圓進行清洗，所述裝置包括混合單元、與所述混合單元相連的第一管路、第二管路以及混合管路，其中所述混合管路還連接一噴頭，所述噴頭與所述晶圓正對，所述噴頭與晶圓之間設有可活動的遮擋盤。

進一步的，所述清洗裝置還包括一固定件，所述固定件固定在所述噴頭一側，并與所述遮擋盤相連。

進一步的，所述遮擋盤的尺寸大于所述噴頭的尺寸。

進一步的，所述噴頭的俯視圖為圓形，所述噴頭的直徑范圍是2cm～8cm。

進一步的，所述遮擋盤的俯視圖為圓形，所述遮擋盤的直徑范圍是3cm～9cm。

進一步的，所述噴頭設有多個孔洞，所述孔洞按照一定規則分布在所述噴頭的表面。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果主要體現在：在噴頭與晶圓之間設置一可活動的遮擋盤，在進行噴等離子水或者氮氣之前先使用遮擋盤對等離子水或氮氣進行遮擋，直至混合單元將氮氣和等離子水制作成高壓水霧之后再移去遮擋盤，使高壓水霧直接噴至晶圓的表面，進行清洗，防止等離子水或者氮氣直接噴在晶圓的表面，減少靜電的形成，避免對晶圓造成損傷。

附圖說明

圖1為現有技術中清洗裝置的結構示意圖；

圖2為本實用新型一實施例中清洗裝置的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本實用新型的清洗裝置進行更詳細的描述，其中表示了本實用新型的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本實用新型，而仍然實現本實用新型的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本實用新型的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本實用新型由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。