[實用新型]標定電路結構有效
| 申請號： | 201320799206.6 | 申請日： | 2013-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN203587792U | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發明（設計）人： | 王永良;徐小峰;孔祥燕;謝曉明;邱陽;張樹林 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | G01R35/00 | 分類號： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 高磊 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 標定 電路 結構 | ||
1.一種標定電路結構，用于標定多通道超導量子干涉傳感陣列中的各超導量子干涉器磁傳感器，其特征在于，所述標定電路結構包括：
印刷電路板，印制第一線圈和多個第二線圈，其中，所述第一線圈的尺寸大于所述多通道超導量子干涉傳感陣列的尺寸；
各所述超導量子干涉器磁傳感器位于以所述第一線圈的圓心為圓心的至少兩個同心圓的圓周上，各所述第二線圈對應一個同心圓圓周上的超導量子干涉器磁傳感器，所述第二線圈的尺寸介于所述超導量子干涉器磁傳感器中探頭的尺寸與比所述探頭的尺寸大一預設值之間；
與所述印刷電路板相連、且按照設定的輸送規則向各所述同心圓線圈輸送驅動電流的信號發生器。
2.根據權利要求1所述的標定電路結構，其特征在于，所述預設值為所述探頭的尺寸的1至2倍。
3.根據權利要求1所述的標定電路結構，其特征在于，所述第一線圈和/或第二線圈為單匝或多匝。
4.根據權利要求3所述的標定電路結構，其特征在于，所述第一線圈和/或第二線圈為多匝，所述第一線圈和/或第二線圈由所述印刷電路板中相鄰的多導電層的同軸單匝線圈構成、或由所述印刷電路板中的至少一層導電層的同軸多匝線圈構成。
5.根據權利要求1所述的標定電路結構，其特征在于，所述第一線圈的圓心與盛放所述陣列的容器底部中軸相重合。
6.根據權利要求1所述的標定電路結構，其特征在于，各所述第二線圈按照各同心圓周上且彼此相鄰的超導量子干涉器所在位置進行設置，或按照各同心圓周上且彼此分散的超導量子干涉器磁傳感器所在位置進行設置。
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