[實(shí)用新型]一種用于存儲(chǔ)信息設(shè)備實(shí)時(shí)參數(shù)的電路裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320788541.6
• 申請(qǐng)日: 2013-12-03
• 公開（公告）號(hào): CN203645364U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉學(xué)文;孫文德;李葉楓;朱潤(rùn)貴;楊黎明;夏建林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)城信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司;長(zhǎng)沙湘計(jì)海盾科技有限公司
• 主分類號(hào): H02J7/00
• 分類號(hào): H02J7/00;H02J9/06
• 代理公司: 長(zhǎng)沙市融智專利事務(wù)所 43114
• 代理人: 黃美成

1.一種用于存儲(chǔ)信息設(shè)備實(shí)時(shí)參數(shù)的電路裝置，其特征在于，包括外接電源輸入端、備用電源輸出端、充電電路、電池檢測(cè)電路、放電電路及儲(chǔ)能器件；

所述外接電源輸入端與充電電路相連，充電電路的輸出端與第一MOS管的G極相連，第一MOS管的D極和S極分別與外接電源輸入端和儲(chǔ)能器件相連，儲(chǔ)能器件與電池檢測(cè)電路相連；充電電路和放電電路均與電池檢測(cè)電路相連；第二MOS管的G極、D極及S極分別與放電電路的輸出端、儲(chǔ)能器件的電源輸入端及備用電源輸出端相連；所述第一MOS管及第二MOS管均為P溝道增強(qiáng)型MOS管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于存儲(chǔ)信息設(shè)備實(shí)時(shí)參數(shù)的電路裝置，其特征在于，所述充電電路及電池檢測(cè)電路采用超級(jí)電容控制器LTC3226。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于存儲(chǔ)信息設(shè)備實(shí)時(shí)參數(shù)的電路裝置，其特征在于，所述放電電路采用電源控制芯片LTC4412.

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于存儲(chǔ)信息設(shè)備實(shí)時(shí)參數(shù)的電路裝置，其特征在于，所述第二MOS管S極與所述備用電源輸出端之間還接有電壓調(diào)整模塊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于存儲(chǔ)信息設(shè)備實(shí)時(shí)參數(shù)的電路裝置，其特征在于，所述電壓調(diào)整模塊采用三極管LTC1763。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的用于存儲(chǔ)信息設(shè)備實(shí)時(shí)參數(shù)的電路裝置，其特征在于，所述儲(chǔ)能器件為Maxwel的BCAP0350電容。