[實用新型]中心波長2230nm的水分測試濾光片有效

申請號：	201320777829.3	申請日：	2013-11-29
公開（公告）號：	CN203551822U	公開（公告）日：	2014-04-16
發明（設計）人：	王繼平;呂晶;胡偉琴	申請（專利權）人：	杭州麥樂克電子科技有限公司
主分類號：	G02B5/20	分類號：	G02B5/20
代理公司：	杭州斯可睿專利事務所有限公司 33241	代理人：	周豪靖
地址：	311188 浙江省杭州市***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	中心波長 2230 nm 水分測試濾光
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【權利要求書】：

1.一種中心波長2230nm的水分測試濾光片，包括以BK7為原材料的基板，以Si、SiO為第一鍍膜層和以Si、SiO2為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是：所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有：60nm厚度的Si層、116nm厚度的SiO層、67nm厚度的Si層、108nm厚度的SiO層、66nm厚度的Si層、139nm厚度的SiO層、67nm厚度的Si層、101nm厚度的SiO層、85nm厚度的Si層、150nm厚度的SiO層、62nm厚度的Si層、117nm厚度的SiO層、89nm厚度的Si層、191nm厚度的SiO層、89nm厚度的Si層、187nm厚度的SiO層、100nm厚度的Si層、163nm厚度的SiO層、114nm厚度的Si層、186nm厚度的SiO層、116nm厚度的Si層、177nm厚度的SiO層、78nm厚度的Si層、249nm厚度的SiO層、146nm厚度的Si層、612nm厚度的SiO層、154nm厚度的Si層、327nm厚度的SiO層、282nm厚度的Si層和131nm厚度的SiO層；所述第二鍍膜層由內向外依次排列包含有：156nm厚度的Si層、378nm厚度的SiO2層、156nm厚度的Si層、2268nm厚度的SiO2層、156nm厚度的Si層、378nm厚度的SiO2層、156nm厚度的Si層、378nm厚度的SiO2層、156nm厚度的Si層、378nm厚度的SiO2層、156nm厚度的Si層、1512nm厚度的SiO2層、156nm厚度的Si層、378nm厚度的SiO2層、156nm厚度的Si層、378nm厚度的SiO2層、292nm厚度的Si層和230nm厚度的SiO2層。

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