[實用新型]一種承載硅片的石墨框裝置有效
| 申請號: | 201320774066.7 | 申請日: | 2013-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN203674185U | 公開(公告)日: | 2014-06-25 |
| 發明(設計)人: | 張春華;李棟;高文麗;孟祥熙 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215011 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 承載 硅片 石墨 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及氮化硅薄膜制備技術領域,尤其涉及一種承載硅片的石墨框裝置。
背景技術
目前,氮化硅薄膜作為晶體硅太陽能電池的光學減反射膜,同時它也起到表面鈍化和體內鈍化的作用,以提高太陽能電池的轉換效率。
現有技術中,制備氮化硅薄膜一般采用的是等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法,如可以采用德國ROTH&RAU公司的PECVD設備。在采用PECVD設備制備氮化硅薄膜的過程中,需要使用一種承載硅片的石墨框。現有的石墨框呈網狀結構,其網格的尺寸要比要承載的硅片尺寸略大一些,在網格的四邊上均勻分布有多個掛鉤,用來承載硅片,以防止硅片掉下去。
如圖1所示,在現有技術中,生產硅片單晶125型(125×125mm)的石墨框1'總長度為1690mm,寬1000mm,石墨框1'有硅片承載孔2',大小為127*127mm,硅片承載孔2'的四個角上有倒角,整個硅片承載孔2'與單晶125相配,兩個相鄰的硅片承載孔2'之間有格條3',格條3'寬度為8mm,石墨框1'上下兩端的兩側各設有一個半圓型的定位孔4'。石墨框1'上分布著6×11個硅片承載孔2'陣列,因此,只能放66片125型硅片。
然而,現在市場競爭越來越激烈,需要降低生產制造成本,增加單位時間產能,因此,現有的石墨框已經不滿足現在產量需求,需要一種增加產能的石墨框;同時,現有石墨框設計容易變形,需要變形量小的石墨框。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提出一種承載硅片的石墨框裝置,其具有更高的產能,且石墨框在使用過程中不容易發生變形。
為達此目的,本實用新型采用以下技術方案:
一種承載硅片的石墨框裝置,包括石墨框本體,所述石墨框本體上設置有若干個均勻分布的承載孔,且相鄰承載孔之間設置有格條,其中,
所述格條的寬度為5.5-7.9mm,所述石墨框本體的長度為1691-1760mm;
所述石墨框本體的左右兩側各設置有兩個對稱分布的U型定位孔。
作為上述承載硅片的石墨框裝置的一種優選方案,所述U型定位孔由長方形和半圓形通孔組成,長方形通孔的長度為1-70mm,寬度為5-8mm;半圓形通孔的直徑為5-8mm,且半圓形通孔的直徑與長方形通孔的寬度相等。
作為上述承載硅片的石墨框裝置的一種優選方案,所述長方形通孔的長度為60mm,寬度為7mm;半圓形通孔的直徑為7mm。
作為上述承載硅片的石墨框裝置的一種優選方案,所述承載孔為具有倒角的正方形孔。
作為上述承載硅片的石墨框裝置的一種優選方案,所述正方形孔的寬度為126-126.9mm。
作為上述承載硅片的石墨框裝置的一種優選方案,所述正方形孔的寬度為126.7mm。
作為上述承載硅片的石墨框裝置的一種優選方案,所述格條的寬度為7mm。
作為上述承載硅片的石墨框裝置的一種優選方案,所述石墨框本體的長度為1750mm。
作為上述承載硅片的石墨框裝置的一種優選方案,所述承載孔四周的格條上均勻的分布有用于支撐硅片的掛鉤。
作為上述承載硅片的石墨框裝置的一種優選方案,所述石墨框本體上分布有6×12個承載孔。
本實用新型的有益效果為:本申請提供了一種承載硅片的石墨框裝置,其通過對石墨框本體的長度進行優化,以及在石墨框本體上設置U型定位孔,使此石墨框裝置能夠更好與PECVD機相匹配,并且實現了增加產量的目的。同時對格條的尺寸進行優化,減輕了格條的自身重量,可有效的防止石墨框在使用過程中發生變形。
附圖說明
圖1是現有技術中承載硅片的石墨框裝置的結構示意圖;
圖2是本實用新型具體實施方式提供的承載硅片的石墨框裝置的結構示意圖。
其中:
1:石墨框本體;2:承載孔;3:格條;4:U型定位孔;
1':石墨框;2':承載孔;3':格條;4':定位孔。
具體實施方式
下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術方案。
如圖2所示,本實施方式提供了一種承載硅片的石墨框裝置,其適用于在制造氮化硅薄膜過程中承載硅片,尤其適用于生產硅片單晶125型(即硅片的尺寸為125×125mm)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





