[實用新型]一種用于生長SiC晶體的坩堝有效
| 申請號： | 201320764032.X | 申請日： | 2013-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN203546203U | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發明（設計）人： | 鄧樹軍;高宇;陶瑩;趙梅玉;段聰 | 申請（專利權）人： | 河北同光晶體有限公司 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 071000 河北省保定市北二*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 生長 sic 晶體 坩堝 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于生長SiC晶體的坩堝，包括：坩堝筒體、坩堝頂蓋和坩堝底蓋，坩堝筒體分別與坩堝頂蓋和坩堝底蓋可拆卸的固定連接；其特征在于：
所述坩堝筒體包括圓筒狀的外筒，所述外筒底部設有一圈向內延伸的環形底板，所述外筒內部設置有與所述外筒平行的圓筒狀的內筒，所述內筒與所述外筒通過所述環形底板進行連接，所述內筒的內部為上下貫通的空槽；
所述坩堝頂蓋和所述坩堝底蓋均設有一帶開口的空腔；
所述外筒的頂部與所述坩堝頂蓋的空腔開口端可拆卸固定連接；
所述外筒的底部與所述坩堝底蓋的空腔開口端可拆卸固定連接。
2.根據權利要求1所述一種用于生長SiC晶體的坩堝，其特征在于：
所述外筒的頂部與所述坩堝頂蓋的空腔開口端螺紋連接；
所述外筒的底部與所述坩堝底蓋的空腔開口端螺紋連接。
3.根據權利要求1或2所述一種用于生長SiC晶體的坩堝，其特征在于，所述坩堝頂蓋、所述坩堝底蓋和所述坩堝筒體的材料均為石墨。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于河北同光晶體有限公司，未經河北同光晶體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320764032.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
