[實用新型]鋁發射極背結背接觸晶體硅太陽電池有效
| 申請號： | 201320758593.9 | 申請日： | 2013-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN203674224U | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 董經兵;李海波;朱彥斌;張斌;邢國強 | 申請（專利權）人： | 奧特斯維能源（太倉）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0288 | 分類號： | H01L31/0288;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 劉燕嬌 |
| 地址： | 215434 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發射極 背結背 接觸 晶體 太陽電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種鋁發射極背結背接觸晶體硅太陽電池，其特征在于：包括板狀的N型硅襯底，在所述N型硅襯底的前表面和背表面覆蓋有n型摻雜層，所述n型摻雜層外覆蓋有鈍化層，所述背表面的N型硅襯底上間隔地嵌入有p型摻雜層，所述p型摻雜層上方連接有電池正極，所述背表面n型摻雜層中嵌入有電池負極。
2.如權利要求1所述的鋁發射極背結背接觸晶體硅太陽電池，其特征在于：所述n型摻雜層的方阻值為30-120Ω/□。
3.如權利要求1所述的鋁發射極背結背接觸晶體硅太陽電池，其特征在于：所述N型硅襯底前表面的鈍化層為SiNx鈍化層，背表面的鈍化層是SiO2、SiOx/SiNx、Al2O3/SiNx或SiCx鈍化層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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