[實用新型]用于薄膜太陽能電池襯底上的微納織構有效
| 申請號: | 201320757553.2 | 申請日: | 2013-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN203707146U | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 解欣業;王偉;吳軍;史國華;李強;初寧寧;呂忠明;鄧晶 | 申請(專利權)人: | 威海中玻光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236 |
| 代理公司: | 威海科星專利事務所 37202 | 代理人: | 于濤 |
| 地址: | 264200 *** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 薄膜 太陽能電池 襯底 微納織構 | ||
1.一種用于薄膜太陽能電池襯底上的微納織構,其征是在電池襯底上利用傳統壓印技術制作具有微納米量級的織構,形成織構層,織構層為均勻、大面積連續覆蓋層,電池襯底包括玻璃或聚酯膜或金屬箔片,織構層具有微納米級,其橫向尺寸在100nm-1000nm,縱向尺寸從納米量級到微米量級,所述襯底與織構層間沉積阻擋層和導電薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種用于薄膜太陽能電池襯底上的微納織構,其特征在于襯底上的阻擋層采用SiO2或Mo制成。
3.根據權利要求1所述的一種用于薄膜太陽能電池襯底上的微納織構,其特征在于導電薄膜按襯底選用TCO透明導電薄膜作為前電極,AZO/Al或Ag高反射率、高電導的金屬材料作為背反電極。
4.根據權利要求1所述的一種用于薄膜太陽能電池襯底上的微納織構,其特征在于導電薄膜在形狀上復制了襯底上的織構層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





