[實用新型]一種鈮酸鋰波導芯片有效
| 申請號： | 201320755865.X | 申請日： | 2013-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN203658612U | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 朱忻;王子昊;沈雷;其他發明人請求不公開姓名 | 申請（專利權）人： | 蘇州矩陣光電有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/122 | 分類號： | G02B6/122;G02F1/035 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 張建綱 |
| 地址： | 215614 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鈮酸鋰 波導 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種鈮酸鋰波導芯片，其特征在于，包括鈮酸鋰基底，以及依次設置于所述鈮酸鋰基底上的非晶硅層、二氧化硅層和金屬電極；其中，所述非晶硅層的厚度小于所述鈮酸鋰基底的厚度，所述鈮酸鋰基底和所述非晶硅層共同構成波導；所述二氧化硅層上成型有電極填充區域，所述金屬電極設置于所述電極填充區域內。
2.根據權利要求1所述的鈮酸鋰波導芯片，其特征在于，所述非晶硅層厚度為70nm-200nm。
3.根據權利要求2所述的鈮酸鋰波導芯片，其特征在于，所述非晶硅層厚度為70nm-150nm。
4.根據權利要求2或3所述的鈮酸鋰波導芯片，其特征在于，所述二氧化硅層厚度為1um-2um。
5.根據權利要求4所述的鈮酸鋰波導芯片，其特征在于，所述非晶硅層為氫化非晶硅層。
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