[實用新型]一種定向凝固法準單晶硅生長爐

有效

• 申請號: 201320753560.5
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN203613300U
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 蘇文佳;左然
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/06
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種定向凝固法準單晶硅生長爐，包括石英坩堝（4）、石墨坩堝（3）、碳碳復合材料頂部蓋板（6）和DS塊（2），其特征在于，所述DS塊（2）與所述石墨坩堝（3）底面貼合，所述DS塊（2）上開有若干氬氣冷卻通孔（12），所述DS塊（2）與所述石墨坩堝（3）貼合的一面上開有氬氣流道（13），所述氬氣流道（13）與所述各個氬氣冷卻通孔（12）連通，所述DS塊（2）的另一面上安裝有氬氣冷卻進口管（1），所述氬氣冷卻進口管（1）與所述氬氣冷卻通孔（12）配合連接；所述石英坩堝（4）底部開有若干籽晶凹槽（11），所述籽晶凹槽（11）的中心軸線與所述氬氣冷卻通孔（12）的中心軸線共線。

2.根據權利要求1所述的一種定向凝固法準單晶硅生長爐，其特征在于，所述籽晶凹槽（11）沿所述石英坩堝（4）的中心軸線對稱分布在所述石英坩堝（4）底部。

3.根據權利要求1所述的一種定向凝固法準單晶硅生長爐，其特征在于，所述氬氣冷卻通孔（12）的形狀、大小與所述石英坩堝（4）底部的籽晶凹槽（11）保持一致。

4.根據權利要求1或2所述的一種定向凝固法準單晶硅生長爐，其特征在于，所述石墨坩堝（3）的開口邊緣開有若干凹槽，所述碳碳復合材料頂部蓋板（6）和所述凹槽共同構成石墨坩堝頂部側排氣口（9）

根據權利要求1或2所述的一種定向凝固法準單晶硅生長爐，其特征在于，所述籽晶凹槽（11）的形狀為圓形或三角形或多邊形。

5.根據權利要求1或2所述的一種定向凝固法準單晶硅生長爐，其特征在于，所述DS塊（2）與所述石墨坩堝（3）貼合的一面上開設的氬氣流道（13）的橫截面形狀為三角形或多邊形或弧形。