[實用新型]一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器

有效

• 申請號: 201320751410.0
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN203562427U
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 葉文冠
• 申請（專利權）人: 葉文冠;綠亞電子（泉州）有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L23/528
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 傅家強

1.一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器，其特征在于：至少包含：

一淺溝槽隔離區，形成于半導體基底內；

一閘極，由多個閘氧化層及多晶硅層依序形成于所述半導體基底表面上方；

一介電層，形成于閘極周圍，且該上層截面積無氧化層覆蓋；

二間隙壁，形成于閘極的側壁，且該一閘極周圍的介電層側壁只有一間隙壁，用以隔離源極、汲極與閘極所構成的構造，以便于源極重摻雜；

一重摻雜源/汲極，通過重摻雜離子植入形成于兩閘極之間的半導體基底內；

一輕摻雜汲極，形成于該閘極的間隙壁底部與該半導體基底之間；

一金屬硅化物，形成于閘極與源/汲極上方；

及一內金屬介電層，形成于存儲器上部表面，在所述閘極與源/汲極擴散區之間蝕刻一共同接觸插塞，用以隔離金屬層。

2.如權利要求1所述的一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器，其特征在于：所述半導體基底為硅底材。

3.如權利要求1所述的一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器，其特征在于：所述閘氧化層至少包含二氧化硅，采用干式氧化法制得。

4.如權利要求3所述的一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器，其特征在于：所述閘極至少包含多晶硅、磷、砷及硅化鎢中的一種，采用熱擴散法制得。

5.如權利要求1所述的一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器，其特征在于：所述一閘極周圍側壁只有一間隙壁，閘極側壁無間隙壁處，也覆蓋有金屬硅化物。

6.如權利要求5所述的一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器，其特征在于：所述間隙壁至少包含氧化硅。

7.如權利要求6所述的一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器，其特征在于：所述金屬硅化物至少包含鈦金屬。

8.如權利要求1所述的一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器，其特征在于：所述介電層包含硅元素和/或氧元素，采用低壓化學其相沉積法制得。

9.如權利要求1所述的一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器，其特征在于：所述淺溝槽隔離區至少包含多晶硅及二氧化硅。

10.如權利要求1所述的一種具有共同接觸插塞的靜態隨機存取存儲器，其特征在于：所述內金屬介電層至少包含二氧化硅。