[實用新型]一種具有無邊界接觸窗的半導體元件有效
| 申請號： | 201320750054.0 | 申請日： | 2013-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN203588976U | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發明（設計）人： | 葉文冠 | 申請（專利權）人： | 葉文冠;綠亞電子（泉州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/768;H01L29/41 |
| 代理公司： | 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204 | 代理人： | 傅家強 |
| 地址： | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 邊界 接觸 半導體 元件 | ||
1.一種具有無邊界接觸窗的半導體元件，其特征在于：至少包含：?
一半導體基底，具有一淺溝槽隔離區；?
一氧化物層，形成于所述淺溝槽隔離區內及半導體基底表面上方，通過化學機械研磨法及氧化物回蝕方式，使該氧化物層的高度低于半導體基底表面；?
一第一介電材料層，形成于所述淺溝槽隔離區的氧化物層上部內側，用以作為無邊界接觸窗的阻絕層；?
一閘氧化層與多晶硅層，依序形成于半導體基底表面上方，用以作為半導體的閘極結構；?
一輕摻雜汲極，形成于所述閘極與淺溝槽隔離區之間；?
一第二介電材料層，形成于所述閘極的側壁，用以作為閘極的間隔壁；?
一重摻雜離子植入區，形成于所述輕摻雜汲極與淺溝槽隔離區之間的半導體基底內，用以作為半導體的源/汲極；?
多個金屬硅化物，形成于所述閘極與源/汲極上方，用以降低接觸電阻；?
及一內層介電材料層，形成于晶片表面上方，所述源/汲極與該淺溝槽隔離區之間蝕刻一無邊界接觸窗，用以連接金屬層。?
2.如權利要求1所述的一種具有無邊界接觸窗的半導體元件，其特征在于：所述半導體基底為硅底材。?
3.如權利要求1所述的一種具有無邊界接觸窗的半導體元件，其特征在于：所述第一介電材料層為氮化硅側隙壁，至少包含氮化硅，采用化學氣相沉積法制得。?
4.如權利要求1所述的一種具有無邊界接觸窗的半導體元件，其特征在于：所述第二介電材料層為一間隙壁，至少包含氮化硅，采用非等向性蝕刻方式制得。?
5.如權利要求1所述的一種具有無邊界接觸窗的半導體元件，其特征在于：所述閘氧化層至少包含二氧化硅，采用干式氧化法制得。?
6.如權利要求1所述的一種具有無邊界接觸窗的半導體元件，其特征在于：所述金屬硅化物至少包含鈦金屬。?
7.如權利要求1所述的一種具有無邊界接觸窗的半導體元件，其特征在于：所述閘極至少包含多晶硅、磷、砷及硅化鎢中的一種，采用低壓化學氣相沉積法制得。?
8.如權利要求1所述的一種具有無邊界接觸窗的半導體元件，其特征在于：所述內層介電材料層采用化學氣相沉積法制得。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
