[實用新型]基于IEC61850協(xié)議的多通道網(wǎng)絡通信智能電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320745777.1 | 申請日: | 2013-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN203590248U | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 曹寧;劉璐;馮曄;周彩鋒 | 申請(專利權)人: | 河海大學 |
| 主分類號: | H04L12/28 | 分類號: | H04L12/28 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 許方 |
| 地址: | 210098 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 iec61850 協(xié)議 通道 網(wǎng)絡 通信 智能 電子設備 | ||
1.基于IEC61850協(xié)議的多通道網(wǎng)絡通信智能電子設備,其特征在于:包含主控單元、處理單元和電源模塊,電源模塊為整個設備供電;所述的主控單元包含第二ARM處理器、千M以太網(wǎng)收發(fā)模塊、主控NAND?FLASH、DDR和雙端口RAM,?第二ARM處理器分別連接了NAND?FLASH、DDR和雙端口RAM,且雙端口RAM還與DDR連接,第二ARM處理器上有兩個MAC接口并通過這兩個MAC接口與千M以太網(wǎng)收發(fā)模塊連接,第二ARM處理器通過千M以太網(wǎng)收發(fā)模塊與變電站層進行數(shù)據(jù)和控制交互;所述的處理單元包含第一ARM處理器、以太網(wǎng)物理層擴展模塊、SDRAM、FLASH、USB收發(fā)電路、UART收發(fā)電路和NAND?FLASH,所述的第一ARM處理器分別連接了NAND?FLASH、USB收發(fā)電路、UART收發(fā)電路、FLASH和SDRAM,且SDRAM還與FLASH連接,第一ARM處理器上有一個MAC接口和一個EPHY配置接口并通過這兩個接口與以太網(wǎng)物理層擴展模塊連接;所述的第二ARM處理器通過雙端口RAM分別與第一ARM處理器、SDRAM和FLASH連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于IEC61850協(xié)議的多通道網(wǎng)絡通信智能電子設備,其特征在于:所述的第一ARM處理器還連接了LCD顯示和鍵盤掃描模塊。
3.根據(jù)權利要求1所述的基于IEC61850協(xié)議的多通道網(wǎng)絡通信智能電子設備,其特征在于:所述的第二ARM處理器?采用芯片AM3352BZCEA30,第一ARM處理器采用芯片?LPC3250FET296。
4.根據(jù)權利要求1所述的基于IEC61850協(xié)議的多通道網(wǎng)絡通信智能電子設備,其特征在于:所述的主控NAND?FLASH和NAND?FLASH都采用芯片MT29F2G08AACWP。
5.根據(jù)權利要求1所述的基于IEC61850協(xié)議的多通道網(wǎng)絡通信智能電子設備,其特征在于:所述的SDRAM是兩片MT48LC32M16A2級聯(lián)成的32M的32bit位寬的存儲器,所述的FLASH是兩片AM29LV320D級聯(lián)成的2M的16bit位寬的可掉電參數(shù)存儲器。
6.根據(jù)權利要求1所述的基于IEC61850協(xié)議的多通道網(wǎng)絡通信智能電子設備,其特征在于:所述的DDR是兩片?MT47H128M16級聯(lián)成的128M的32bit位寬的存儲器;所述的雙端口RAM是兩片IDT70V28級聯(lián)成的32bit位寬的雙端口存儲器。
7.根據(jù)權利要求1所述的基于IEC61850協(xié)議的多通道網(wǎng)絡通信智能電子設備,其特征在于:所述的USB收發(fā)電路采用芯片ISP1301,UART收發(fā)電路采用芯片MAX3232。
8.根據(jù)權利要求1所述的基于IEC61850協(xié)議的多通道網(wǎng)絡通信智能電子設備,其特征在于:所述的千M以太網(wǎng)收發(fā)模塊采用AR8031_AC1A芯片。
9.根據(jù)權利要求1所述的基于IEC61850協(xié)議的多通道網(wǎng)絡通信智能電子設備,其特征在于:所述的以太網(wǎng)物理層擴展模塊采用BCM5325M芯片。
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